[发明专利]晶片等级的光学组件对准无效
申请号: | 200780024572.1 | 申请日: | 2007-06-29 |
公开(公告)号: | CN101501543A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | A·戈贝尔;L·C·韦斯特;G·L·武伊齐克 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12;G02B6/26;G02B6/30;G02B6/42 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆 嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 等级 光学 组件 对准 | ||
1.一种制造光学组件的方法,该方法包括:
在光学材料板的第一表面之上置放主动式光学组件;
在该光学材料板的第二表面上形成一被动式光学组件,其中该第二表 面大致平行于该第一表面;
使用晶片微影技术在第一表面和第二表面的其中之一上产生主要对准 标记,并且以高准确度在该第一表面和第二表面的另一个上产生辅助对准 标记;以及
使用该对准标记,将该被动式光学组件的光轴对准于该被动光学组件 及该主动式光学组件的主动区之间的光学路径。
2.一种制造光学组件的方法,该方法包括:
在光学材料板的第一表面之上置放主动式光学组件;
在该光学材料板上与该主动式光学组件同一侧的第二表面上形成一被 动式光学组件;
使用晶片微影技术在第一表面或该第二表面上产生对准标记;以及
使用该对准标记,将该被动式光学组件的光轴对准于该被动光学组件 及该主动式光学组件的主动区之间的光学路径。
3.如权利要求1或2所述的方法,其中该光学路径包括来自平行于该第 一表面且与其相间隔的第三表面的反射。
4.如权利要求1所述的方法,其中该第二表面与该第一表面彼此相间 隔。
5.如权利要求4所述的方法,其中该光学路径包括穿过该光学材料板的 路径。
6.如权利要求1或2所述的方法,其中该主动式光学组件包括光源。
7.如权利要求1或2所述的方法,其中该主动式光学组件包括光侦测器。
8.如权利要求1或2所述的方法,其更包括在该光学材料板之上或之内 形成反射表面,其中该光学路径包括穿过该光学材料板的路径,且包括自 该反射表面的反射。
9.如权利要求1或2所述的方法,其中该被动式光学组件包括透镜。
10.如权利要求1所述的方法,其更包括:
在该第二表面上形成至少三个柱部以界定一平面;以及
将所述柱部黏接至基板。
11.如权利要求10所述的方法,其中该平面是大致平行于该第二表面。
12.如权利要求10所述的方法,其中形成该被动式光学组件及形成该 至少三柱部的步骤包括:
在该第二表面上沉积一层阻剂;
在该被动式光学组件及该至少三柱部的位置蚀刻该层阻剂;以及
回焊该层阻剂以形成该被动式光学组件及该至少三柱部。
13.如权利要求12所述的方法,其中在该被动式光学组件及该至少三 柱部的位置蚀刻该阻剂层的步骤是大致上同时执行。
14.如权利要求12所述的方法,其中在该被动式光学组件及该至少三 柱部的位置蚀刻该阻剂层的步骤包括在该至少三柱部的位置蚀刻该阻剂层 之前在该被动光学组件的位置蚀刻该阻剂层。
15.如权利要求10所述的方法,其中:
形成该被动式光学组件的步骤包括:
在位于该被动式光学组件的位置,于该第二表面上沉积第一材料 的图案;以及
蚀刻该第一材料图案;以及
形成该至少三支柱的步骤包括:
在位于该至少三柱部的位置,于该第二表面上沉积第二材料的图 案,该第二材料的蚀刻特性慢于该第一材料;以及
蚀刻该第二材料图案。
16.如权利要求15所述的方法,其中:
该第一材料包括阻剂;以及
该第二材料包括介电质。
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