[发明专利]利用弯液面的蚀刻后晶片表面清洁

权利要求书

1.一种清洗半导体晶片的方法，包括：

提供包括多个源入口和多个源出口的接近头，该接近头 包括形成该多个源入口的头表面；

靠近晶片表面移动该接近头；

通过所述多个源入口将氧化剂溶液提供到晶片表面，该 氧化剂溶液在该接近头的头表面和该晶片表面之间形成氧化 剂弯液面，所述氧化剂溶液进一步在晶片表面上的一种或多种 污染物材料上形成氧化层；

通过所述多个源出口将氧化剂溶液从晶片表面去除，在 施加该氧化剂溶液过程中执行去除该氧化剂溶液从而在施加 和去除该氧化剂溶液过程中该氧化剂弯液面保留在该头表面 和该晶片表面之间；

实施去离子水冲洗作业；

通过第二接近头的多个源入口将清洗溶液提供到晶片表 面，第二接近头具有头表面；以及

通过该第二接近头的多个源出口将清洗溶液从晶片表面 去除，在施加该清洁溶液过程中执行去除该清洁溶液以在该头 表面和该晶片表面之间限定清洁弯液面，以及该清洗溶液限定 为能利用该清洁弯液面将晶片表面上的所述氧化层随同一种 或多种污染物材料充分去除。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化剂溶液是浓 度范围为0.01％至30％重量百分比的过氧化氢。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化剂溶液是溶 解于水的臭氧，所述臭氧的浓度范围为百万分之一至饱和。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化剂溶液是硝 酸，其浓度范围为5％至90％重量百分比。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液是以下 至少一种：浓度范围为0.01％至49％重量百分比的氢氟酸或者 浓度范围为0.01％至50％重量百分比的乙酸，硫酸和草酸。

6.一种清洗半导体晶片的方法，包括：

提供三个接近头，每个接近头包括头表面，该头表面包 括多个源入口和多个源出口，该头表面被配置为靠近该半导体 晶片的表面；

通过第一接近头提供用以去除晶片表面上的一种或多种 污染物材料的第一清洗溶液到晶片表面；

通过该第一接近头将所述第一清洗溶液随同所述一种或 多种污染物材料的至少一部分去除，该第一清洗溶液的该提供 和去除在该晶片表面和该头表面之间限定了第一清洗溶液弯 液面；

通过第二接近头提供氧化剂溶液到晶片表面，该氧化剂 溶液在残留的污染物材料上形成氧化层；

通过该第二接近头从晶片表面去除所述氧化剂溶液，该 氧化剂溶液的该提供和去除在该晶片表面和该头表面之间限 定了氧化剂溶液弯液面；

通过第三接近头将第二清洗溶液提供到晶片表面；以及

通过该第三接近头将所述第二清洗溶液从晶片表面去 除，该第二清洗溶液的该提供和去除在该晶片表面和该头表面 之间限定了第二清洗溶液弯液面，该第二清洗溶液配置为能将 晶片表面上的所述氧化层随同残留污染物材料充分去除。

7.如权利要求6所述的方法，进一步包括：在将氧化剂溶液从晶 片表面去除之后以及在将第二清洗溶液提供到晶片表面之前， 实行去离子水冲洗作业。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述氧化剂溶液是浓 度范围为0.01％至30％重量百分比的过氧化氢。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述氧化剂溶液是溶 解于水的臭氧，所述臭氧的浓度范围为百万分之一至饱和。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述氧化剂溶液是硝 酸，其浓度范围为5％至90％重量百分比。

11.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一清洗溶液和 第二清洗溶液均是以下至少一种：浓度范围为0.01％至49％重 量百分比的氢氟酸或者浓度范围为0.01％至50％重量百分比 的乙酸，硫酸和草酸。