[发明专利]制备分割芯片的方法有效
申请号: | 200780024685.1 | 申请日: | 2007-06-18 |
公开(公告)号: | CN101479835A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 秋山良太;齐藤一太 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L21/78;H01L21/304 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 梁晓广;关兆辉 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 分割 芯片 方法 | ||
1.一种通过磨削待磨材料的后表面制备分割芯片的方法,所述待磨材料包括通过沿芯片的边界在其厚度方向上至少部分地切割所述芯片而分成各个芯片的多个芯片;其中
用液体粘合剂填充通过切割形成的所述各个芯片之间的间隙,所述待磨材料以其后表面被暴露的方式层叠在刚性支承材料上,并且所述粘合剂被固化或凝固以形成具有所述多个芯片的所述待磨材料的层叠物;
从所述待磨材料的后表面侧磨削所述层叠物,从而在所述层叠物上获得薄的并且各自分开的芯片;
从所述层叠物移除所述刚性支承材料;
将第二柔性粘合剂片粘合到所述层叠物的所述粘合剂固体材料上,其中所述刚性支承材料已从所述层叠物移除;并且
拾取并回收在所述第二柔性粘合剂片上由所述粘合剂固体材料保持的所述各个芯片。
2.根据权利要求1所述的制备分割芯片的方法,其中所述待磨材料在从其后表面磨削之前已被部分地切割。
3.根据权利要求1所述的制备分割芯片的方法,其中所述待磨材料在从其后表面磨削之前已被完全地切割。
4.根据权利要求3所述的制备分割芯片的方法,其中所述待磨材料在粘合剂支承材料上被切割,并且之后被液体粘合剂填充。
5.根据权利要求1所述的制备分割芯片的方法,包括转移步骤,其中,在所述磨削之后,将所述层叠物粘合到第一柔性粘合剂片,以便与所述芯片的后表面接触,将所述刚性支承材料从所述层叠物移除,将第二柔性粘合剂片粘合到已移除了所述刚性支承材料的所述层叠物的所述粘合剂固体材料上,并且将所述第一柔性粘合剂片移除。
6.根据权利要求5所述的制备分割芯片的方法,其中在所述转移步骤中,所述第一柔性粘合剂片和所述第二柔性粘合剂片均为压敏粘合剂片,并且所述第二柔性粘合剂片的粘合力是所述第一柔性粘合剂片的粘合力的两倍或更多倍。
7.根据权利要求5所述的制备分割芯片的方法,其中在所述转移步骤中,所述第一柔性粘合剂片的粘合力在施加热或辐射后变得比所述第二柔性粘合剂片的粘合力小,以允许所述转移。
8.根据权利要求1所述的制备分割芯片的方法,其中所述液体粘合剂在填充时具有在25℃下小于10,000cps的粘度,并且所述粘合剂固体材料在固化或凝固之后具有在25℃下不小于100MPa的弹性储能模量以及在50℃下不小于10MPa的弹性储能模量。
9.根据权利要求1所述的制备分割芯片的方法,其中在拾取并回收在所述第二柔性粘合剂片上由所述粘合剂固体材料保持的所述各个芯片的步骤中,张力施加到所述第二柔性粘合剂片上以在水平方向膨胀所述粘合剂固体材料,从而便于所述拾取。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造