[发明专利]磁性元件温度传感器有效
申请号: | 200780024723.3 | 申请日: | 2007-01-03 |
公开(公告)号: | CN101484785A | 公开(公告)日: | 2009-07-15 |
发明(设计)人: | B·L·科罗西亚;E·T·阿贝特 | 申请(专利权)人: | 热溶体股份有限公司 |
主分类号: | G01K7/00 | 分类号: | G01K7/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 刘 佳 |
地址: | 美国堪*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性 元件 温度传感器 | ||
1.一种温度传感器,被配置成与物体热接触以便检测物体的温度,所 述传感器包括至少一个易磁化的传感器元件,所述传感器元件在所加的交变磁 场的影响下可产生对温度敏感的重新磁化响应,这种重新磁化响应是由至少一 个短的可检测的磁场扰动脉冲来定义的,这种磁场扰动脉冲具有已定义的持续 时间,这种重新磁化响应与所述物体的温度相关并在低于400℃的至少一个设 置点温度之下和之上是不同的。
2.如权利要求1所述的传感器,其特征在于,
有多个传感器元件,至少某些传感器元件具有与其它传感器元件不同的设 置点温度。
3.如权利要求1所述的传感器,其特征在于,
所述设置点温度是传感器元件的居里温度。
4.如权利要求1所述的传感器,其特征在于,
在多个不同的设置点温度以上和以下,所述传感器元件具有不同的重新磁 化响应。
5.如权利要求4所述的传感器,其特征在于,
所述多个不同的设置点温度是在传感器元件的居里温度以下。
6.如权利要求1所述的传感器,其特征在于,
所述传感器元件包括金属体。
7.如权利要求6所述的传感器,其特征在于,
所述金属体是非晶的。
8.如权利要求6所述的传感器,其特征在于,
所述金属体是纳米结晶的。
9.如权利要求6所述的传感器,其特征在于,
所述金属体的形式是拉长的丝或薄的条带,其最大横截面尺寸达到100微 米。
10.如权利要求6所述的传感器,其特征在于,
所述金属体是由选自下列的合金构成的:基于铁的合金;基于钴的合金; 以及它们的混合物。
11.如权利要求10所述的传感器,其特征在于,
所述合金含有铬。
12.如权利要求1所述的传感器,其特征在于,
所述传感器元件包括由玻璃涂层围绕着的金属体。
13.如权利要求1所述的传感器,其特征在于,
所述传感器元件包括金属体,该金属体具有小于10A/m的矫顽磁力、 20,000以上的相对磁导率、基本上为零或稍微为正值的磁致伸缩以及很大的巴 克豪森不连续性。
14.一种用于检测物体的温度的方法,包括如下步骤:
放置温度传感器使其与所述物体热接触,所述传感器包括至少一个易磁 化的传感器元件,该传感器元件在所加的交变磁场的影响下可产生对温度敏感 的重新磁化响应,该重新磁化响应与所述物体的温度相关并在低于400℃的至 少一个设置点温度之下和之上是不同的;
在该传感器的区域中产生足够大的交变磁场,以引发该传感器元件的重 新磁化响应;以及
检测由所述传感器元件产生的对温度敏感的重新磁化响应,并且使用检 测到的响应至少部分地确定该物体的温度是在设置点温度以上还是以下。
15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,
所述传感器具有多个易磁化的传感器元件,每一个传感器元件在所加的交 变磁场的影响下都具有不同的重新磁化响应,并且每一个重新磁化响应在不同 的设置点温度以下是不同的,并且使用不同的重新磁化响应来确定所述物体的 温度。
16.如权利要求14所述的方法,检测步骤还包括如下步骤:
使用场接收线圈来检测重新磁化响应并产生与检测到的重新磁化响应相 对应的输出信号。
17.如权利要求16所述的方法,还包括如下步骤:
使用可操作地耦合到场接收线圈的信号处理单元,来接收输出信号并从中 至少确定该物体的大约的温度。
18.如权利要求15所述的方法,其特征在于,
所述不同的设置点依次从最低的设置点或设置点范围到最高的设置点或 设置点范围。
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