[发明专利]光电二极管阵列

权利要求书

1.一种光电二极管阵列，其特征在于，

由使被检测光入射的多个光检测通道形成于具有第1导电型的半导体层的基板而形成，

该光电二极管阵列具备：

所述基板；

第2导电型的外延半导体层，形成于所述基板的第1导电型的所述半导体层上，在与该半导体层的界面构成pn结，并且，具有使因所述被检测光的入射而产生的载流子雪崩倍增的多个倍增区域，该各倍增区域和所述各光检测通道相互对应；以及

多个电阻，具有2个端部，设在每个所述光检测通道，经由一所述端部而与所述外延半导体层电连接，并且经由另一所述端部而连接于信号导线；

第2导电型的半导体层，形成于所述外延半导体层中且配置于光入射面一侧。

2.如权利要求1所述的光电二极管阵列，其特征在于，

还具备在所述多个光检测通道之间形成的第1导电型的分离部，使得所述外延半导体层的所述各倍增区域和所述各光检测通道相互对应。

3.如权利要求2所述的光电二极管阵列，其特征在于，

所述分离部包括遮光部，该遮光部由吸收或反射所述光检测通道所检测的波长带域的光的物质形成。

4.如权利要求2所述的光电二极管阵列，其特征在于，

所述分离部包括由折射率低于所述外延半导体层的物质形成的遮光部。

5.如权利要求2所述的光电二极管阵列，其特征在于，

所述信号导线在所述分离部的上方形成。

6.如权利要求1所述的光电二极管阵列，其特征在于，

所述信号导线由铝形成，且形成于氮化硅膜上。

7.如权利要求6所述的光电二极管阵列，其特征在于，

所述电阻由多晶硅形成，

所述电阻形成于氧化硅膜上，并且在该电阻上形成有所述氮化硅膜及所述信号导线。

8.一种光电二极管阵列，其特征在于，

由使被检测光入射的多个光检测通道形成于具有第1导电型的半导体层的基板而形成，

该光电二极管阵列具备：

所述基板；

第1导电型的外延半导体层，形成于所述基板的第1导电型的所述半导体层上，具有使因所述被检测光的入射而产生的载流子雪崩倍增的多个倍增区域，该各倍增区域和所述各光检测通道相互对应；

第2导电型的扩散区域，形成于所述第1导电型的外延半导体层中，在与该外延半导体层的界面构成pn结；以及

多个电阻，具有2个端部，设在每个所述光检测通道，经由一所述端部而与所述外延半导体层中的所述第2导电型的扩散区域电连接，并且经由另一所述端部而连接于信号导线，

所述信号导线由铝形成，且形成于氮化硅膜上；

所述电阻由多晶硅形成，

所述电阻形成于氧化硅膜上，并且在该电阻上形成有所述氮化硅膜及所述信号导线。

9.如权利要求8所述的光电二极管阵列，其特征在于，

还具备在所述多个光检测通道之间形成的第1导电型的分离部，使得所述外延半导体层的所述各倍增区域和所述各光检测通道相互对应。

10.如权利要求9所述的光电二极管阵列，其特征在于，

所述分离部包括遮光部，该遮光部由吸收或反射所述光检测通道所检测的波长带域的光的物质形成。

11.如权利要求9所述的光电二极管阵列，其特征在于，

所述分离部包括由折射率低于所述外延半导体层的物质形成的遮光部。

12.如权利要求9所述的光电二极管阵列，其特征在于，

所述信号导线在所述分离部的上方形成。