[发明专利]CMP用研磨液及研磨方法

权利要求书

1.一种CMP用研磨液，其特征在于，包含磨粒、酸、下述通式(I)所表示的甲苯并三唑化合物及水；甲苯并三唑化合物的配合量，相对于100gCMP用研磨液，为0.0001mol～0.05mol，

式(I)中，R¹各自独立地表示碳原子数为1～4的亚烷基，R²表示碳原子数为1～4的亚烷基。

2.如权利要求1所记载的CMP用研磨液，其特征在于，上述通式(I)中，R²为亚甲基。

3.根据权利要求1所记载的CMP用研磨液，其特征在于，上述通式(I)中，R¹为亚甲基或亚乙基。

4.根据权利要求1所记载的CMP用研磨液，其特征在于，上述甲苯并三唑化合物为2，2’-((4-甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基亚氨基)双乙醇、2，2’-((5-甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基亚氨基)双乙醇或者它们的混合物。

5.根据权利要求1所记载的CMP用研磨液，其特征在于，CMP研磨液中Cu的ζ电位与CMP研磨液中TaN的ζ电位的差的绝对值为20.0mV以下。

6.根据权利要求1所记载的CMP用研磨液，其特征在于，其pH值为2～5。

7.根据权利要求1所记载的CMP用研磨液，其特征在于，上述磨粒为胶体氧化硅。

8.根据权利要求1所记载的CMP用研磨液，其包含金属的氧化剂。

9.一种研磨方法，其特征在于，包括第1化学机械研磨工序和第2化学机械研磨工序，所述工序研磨的基板具有表面包括凹部和凸部的层间绝缘膜、沿着表面覆盖上述层间绝缘膜的阻挡层和通过填充上述凹部覆盖阻挡层的配线金属层，其中，第1化学机械研磨工序为：研磨基板的配线金属层，使上述凸部的阻挡层露出；第2化学机械研磨工序为：使用上述权利要求1～8任一项所记载的CMP用研磨液，对上述第1化学机械研磨工序中所露出的上述基板的阻挡层进行研磨，使上述凸部的层间绝缘膜露出。

10.根据权利要求9所记载的研磨方法，其特征在于，上述层间绝缘膜为硅系覆膜。

11.根据权利要求9所记载的研磨方法，其特征在于，上述配线金属为选自铜、铜合金、铜的氧化物以及铜合金的氧化物中的至少1种。

12.根据权利要求9所记载的研磨方法，其特征在于，上述阻挡层为钽或钽化合物。