[发明专利]导电层的制备方法

权利要求书

1.制备导电陶瓷层的方法，所述导电陶瓷层在多孔支撑衬底上 制备，其中所述多孔支撑衬底的密度为理论密度的40％至70％并且 具有主要的开孔结构，其特征在于，所述层通过脉冲溅射方法而沉积 在所述支撑衬底上，并且所述层的厚度为0.1μm至5μm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述层具有钙钛 矿结构。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，使用了氧化 物陶瓷溅射靶。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，溅射靶中的 元素浓度与所述层中各元素的浓度相差至多5％。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，以1千赫至 1000千赫的脉冲电压频率进行所述层的沉积。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，以10千赫至500 千赫的脉冲电压频率进行所述层的沉积。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，以100千赫至350 千赫的脉冲电压频率进行所述层的沉积。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在+100V至 -1000V的电压均方根值的条件下进行所述层的沉积。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在+100V至-500V 的电压均方根值的条件下进行所述层的沉积。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，以1W/cm²至30W/cm²的平均功率密度进行所述层的沉积。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所使用的工 艺气体是压力为1×10^-4mbar至9×10^-2mbar的惰性气体，优选为氩 气。

12.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述层具有 的结构式为ABO₃，其中，A包括选自La、Ba、Sr、Ca中的一种或 多种元素，并且B包括选自Cr、Mg、Al、Mn、Fe、Co、Ni、Cu和 Zn中的一种或多种元素。

13.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，沉积得到密 度大于理论密度的99％的层。

14.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，沉积得到杂 质含量小于0.5重量％、优选小于0.1重量％的层。

15.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在固体氧化 物燃料电池(SOFC)中使用所述多孔支撑衬底。

16.多孔支撑衬底，其密度为理论密度的40％至70％；其主要 地为开孔结构；并且其由铁基合金的烧结颗粒构成，所述铁基合金含 有：15重量％至35重量％的Cr；0.01重量％至2重量％的选自Ti、 Zr、Hf、Mn、Y、Sc、稀土元素中的一种或多种元素；0重量％至 10重量％的Mo和/或Al；0重量％至5重量％的选自Ni、W、Nb、 Ta中的一种或多种金属；0.1重量％至1重量％的O，其余为铁和杂 质；所述多孔支撑衬底的特征在于，在所述多孔支撑衬底上沉积有厚 度为0.1μm至5μm的导电陶瓷PVD层。