[发明专利]等离子体成膜装置与膜制造方法

权利要求书

1.一种等离子体成膜装置，具有发射等离子体束的等离子体枪、和施加磁场到从所述等离子体枪发射的等离子体束以将所述等离子体束的束截面变形成几乎矩形或椭圆形的形状的磁体，所述装置包含：

多个磁体单元，所述多个磁体单元偏转其束截面被变形的所述等离子体束，以用被偏转的等离子体束照射照射靶，

其中，要被布置在所述照射靶的表面的下后侧的第一磁体和具有与所述第一磁体的磁极相同的磁极的第二磁体被布置在所述磁体单元中，以使所述第一磁体和所述第二磁体排列成彼此间隔开，

所述第一磁体和所述第二磁体沿所述等离子体束的辐射方向排列，以及

在所述第一磁体和所述第二磁体中，被布置成离所述等离子体枪最远的磁体产生最强的磁场。

2.根据权利要求1的等离子体成膜装置，其中所述第一磁体和所述第二磁体通过磁轭排列。

3.根据权利要求1的等离子体成膜装置，其中第三磁体被布置在所述第一磁体和所述第二磁体之间，所述第一磁体、所述第二磁体和所述第三磁体具有四边棱柱形状，以及

其中，所述第三磁体被布置在所述照射靶的表面的下后侧，并且具有与所述第一磁体和所述第二磁体的磁极不同的磁极。

4.根据权利要求1或2的等离子体成膜装置，其中被布置成离所述等离子体枪最远的磁体的体积大于被布置成离所述等离子体枪最近的磁体的体积，从而在所述第一磁体和所述第二磁体中，所述被布置成离所述等离子体枪最远的磁体产生最强的磁场。

5.根据权利要求1或2的等离子体成膜装置，其中所述照射靶和被布置成离所述等离子体枪最远的磁体的顶表面之间的距离比所述照射靶和被布置成离所述等离子体枪最近的磁体的顶表面之间的距离更小，从而在所述第一磁体和所述第二磁体中，所述被布置成离所述等离子体枪最远的磁体产生最强的磁场。

6.一种制造要被形成在基板上的膜的方法，所述方法包含：

为了使蒸发材料蒸发，将由根据权利要求1的等离子体成膜装置产生的等离子体束照射到充当照射靶的蒸发材料的步骤，所述照射靶被容纳在布置于能被抽空的成膜腔中的蒸发材料盘中，以及

在所述基板上形成膜的步骤，所述基板被布置在所述成膜腔中相对于所述蒸发材料盘以预定的间隙面对所述蒸发材料盘的位置处。