[发明专利]用于半导体制造工具的过滤系统

权利要求书

1.一种用于过滤与半导体制程工具连通的气体的方法，该方法包含： 

提供过滤系统； 

向过滤系统提供气流径，气流径包含三甲基硅烷醇或六甲基二硅氧烷中的较高的污染物浓度； 

通过过滤系统的第一过滤层从气流径移除较高浓度的污染物；以及 

通过过滤系统的第二过滤层从气流径移除较低浓度的污染物，其中第一过滤层是沿着气流径在第二过滤层的上游；以及 

其中，当六甲基二硅氧烷的浓度与其它含挥发性硅化合物比较较高时，第一和第二过滤层分别包含物理吸附介质和化学吸附介质；或者 

其中，当三甲基硅烷醇的浓度与其他含挥发性硅化合物比较较高时，第一和第二过滤层分别包含化学吸附介质和物理吸附介质。 

2.根据权利要求1中的方法，进一步包括将气流径应用在半导体制程工具的操作中。 

3.根据权利要求1中的方法，其中第一过滤层移除比三甲基硅烷醇高的污染物浓度的六甲基二硅氧烷。 

4.根据权利要求1中的方法，进一步包括使空气流向过滤系统。 

5.根据权利要求1中的方法，其中第一过滤层包括物理吸附介质。 

6.根据权利要求5中的方法，其中物理吸附介质包括活性炭。 

7.根据权利要求1中的方法，其中第二过滤层包括化学吸附介质。 

8.根据权利要求7中的方法，其中化学吸附介质包括阳离子交换树脂。 

9.根据权利要求8中的方法，其中阳离子交换树脂包括二乙烯基苯-苯乙烯共聚物。 

10.根据权利要求1中的方法，其中第二过滤层包括带有酸性的功能基的二乙烯基苯-苯乙烯共聚物。 

11.根据权利要求10中的方法，其中酸性的功能基包含磺酸功能基或者羧酸功能基。 

12.根据权利要求1中的方法，其中第一过滤层包含第一过滤构件。 

13.根据权利要求12中的方法，其中第一过滤构件包含蜂巢状组件或者折状组件。 

14.根据权利要求1中的方法，其中第二过滤层包含第二过滤构件。 

15.根据权利要求14中的方法，其中第二过滤构件包含蜂巢状组件或者折状组件。 

16.根据权利要求1中的方法，其中半导体制程工具是蚀刻影技术工具。 

17.根据权利要求16中的方法，其中蚀刻影技术工具是微蚀刻影技术工具。 

18.根据权利要求1中的方法，其中第一过滤层移除比六甲基二硅氧烷高的污染物浓度的三甲基硅烷醇。 

19.根据权利要求18中的方法，其中气流径包含空气。 

20.根据权利要求18中的方法，其中第一过滤层包含化学吸附介质。 

21.根据权利要求18中的方法，其中化学吸附介质包含阳离子交换树脂。 

22.根据权利要求21中的方法，其中阳离子交换树脂包含二乙烯基苯-苯乙烯共聚物。 

23.根据权利要求22中的方法，其中二乙烯基苯-苯乙烯共聚物包含酸性的功能基。 

24.根据权利要求23中的方法，其中酸性的功能基包含磺酸功能基或者羧酸功能基。 

25.根据权利要求18中的方法，其中第二过滤层包含物理吸附介质。 

26.根据权利要求25中的方法，其中物理吸附介质包括活性炭。 

27.根据权利要求26中的方法，其中第一过滤层包括第一过滤构件。 

28.根据权利要求27中的方法，其中第一过滤构件包含蜂巢状组件。 

29.根据权利要求27中的方法，其中第一过滤构件包含折状组件。 

30.根据权利要求18中的方法，其中第二过滤层包含第二过滤构件。