[发明专利]背侧浸没式光刻

权利要求书

1.一种在具有第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧的透明衬底上印刷微光刻图案的方法，所述第二侧覆有辐射敏感层，所述方法的特征在于以下步骤：

将所述衬底置于邻近曝光系统的最后透镜，其中在所述最后透镜和所述衬底的第一侧之间的空间填充有浸没介质；以及

透过所述衬底的第一侧将曝光辐射聚焦到覆盖所述衬底的第二侧的所述辐射敏感层上，并且在所述辐射敏感层中形成潜像。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括图案化所述辐射敏感层、生成掩模、利用所述掩模曝光器件衬底、图案化所述器件衬底以及形成器件的部件。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括图案化所述辐射敏感层、将辐射阻止层施加到所述图案化的辐射敏感层上方，以及至少剥离所述辐射敏感层的在所述图案化之后剩余的部分。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述辐射阻止层是铬。

5.根据权利要求3所述的方法，还包括生产掩模、利用所述掩模曝光器件衬底、图案化所述器件衬底以及形成器件的部件。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述透明衬底和任何被施加的层被用作掩模，所述辐射敏感层对用于形成所述潜像的所述曝光辐射是敏感的并且有效地阻止当所述掩模被用于曝光器件衬底时使用的第二波长的辐射通过。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述透明衬底被用作掩模，还包括在所述第二侧和所述辐射敏感层之间设置辐射阻止层，所述辐射阻止层对用于形成所述潜像的所述曝光辐射是透明的并且有效地阻止当所述掩模被用于曝光器件衬底时使用的第二波长的辐射。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述透明衬底被用作掩模，还包括：

在所述第二侧和所述辐射敏感层之间设置辐射阻止层，所述辐射阻止层对用于形成所述潜像的所述曝光辐射是透明的；以及

显影所述辐射敏感层并且去除所述辐射敏感层的至少一部分从而暴露所述辐射阻止层的至少一部分；以及

处理所述辐射阻止层的所述暴露部分从而当使其有效地阻止当所述掩模被用于曝光器件衬底时使用的第二波长的辐射。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括将所述辐射阻止层的所述暴露部分转变成硅的氮氧化物(SiOxNy)。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述转变包括将所述辐射阻止层的所述暴露部分暴露给氮离子注入。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述转变包括将所述辐射阻止层的所述暴露部分暴露给氮气。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述转变包括将所述辐射阻止层的所述暴露部分暴露给氮等离子体。

13.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述透明衬底被用作掩模，还包括：

显影所述辐射敏感层并且去除所述辐射敏感层的至少一部分从而暴露所述透明衬底的至少一部分；

处理所述透明衬底的所述暴露部分从而使其有效地阻止当所述掩模被用于曝光器件衬底时使用的第二波长的辐射。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括将所述透明衬底的所述暴露部分转变成硅的氮氧化物。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述转变包括将所述透明衬底的所述暴露部分暴露给氮离子注入。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述转变包括将所述透明衬底的所述暴露部分暴露给氮气。

17.根据权利要求14所述的方法，其中所述转变包括将所述透明衬底的所述暴露部分暴露给氮等离子体。

18.一种适用于工件的背侧光刻的微光刻装置，所述系统包括：

图案写入器；

所述图案写入器的最后透镜组件；

图案写入器的台组件，适合支撑具有第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧的透明工件，以及

在所述第二侧上的辐射敏感层，

其特征在于：当所述辐射敏感层暴露给曝光辐射时，提供浸没介质以填充所述最后透镜和所述透明工件之间的空间，所述曝光辐射通过最后透镜、浸没介质、所述第一侧以及所述透明衬底提供到所述辐射敏感层。