[发明专利]成膜方法、清洁方法和成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，其特征在于，

包括：

在腔室内的基板载置台上载置被处理基板，对所述腔室内进行排气，并在将所述基板载置台的温度设定为规定温度的状态下，从设置在所述腔室内的气体喷出部件喷出包含氯化金属化合物气体的处理气体，利用CVD在被处理体的表面上形成金属膜或金属化合物膜的工序；和

在所述腔室内不存在被处理基板的状态下，从所述气体喷出部件向所述腔室内喷出包含Cl₂气体的清洁气体，对所述腔室内进行清洁的工序，

所述清洁工序分别独立地控制所述基板载置台的温度、所述喷出部件的温度和所述腔室壁部的温度，并且控制所述腔室的压力，使清洁对象部位的温度为所述Cl₂气体的分解开始温度以上，并且使非清洁对象部位的温度低于所述Cl₂气体的分解开始温度。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

所述氯化金属化合物气体为TiCl₄气体，所述金属为Ti。

3.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于，

所述处理气体包含TiCl₄气体和含氮气体，

在所述成膜工序中，将所述基板载置台的温度设定为400～700℃，将所述气体喷出部件和所述腔室壁部的温度设定为副生成物难以附着的150～250℃，利用热CVD在被处理基板的表面形成TiN膜作为金属化合物膜，

在所述清洁工序中，所述基板载置台为所述清洁对象部位，进行控制，使其温度为Cl₂气体的分解开始温度以上；所述气体喷出部件和所述腔室的壁部为所述非清洁对象部位，进行控制，使其温度为分解开始温度以下，并且为所述成膜工序时的温度附近的温度。

4.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于，

所述处理气体包含TiCl₄气体和还原气体，

在所述成膜工序中，将所述基板载置台的温度设定为400～700℃，将所述气体喷出部件的温度设定为400～500℃，将所述腔室壁部的温度设定为150～250℃，利用等离子体CVD在被处理基板的表面形成Ti膜作为金属膜，

在所述清洁工序中，所述基板载置台和所述气体喷出部件为所述清洁对象部位，进行控制，使它们的温度为Cl₂气体的分解开始温度以上；所述腔室的壁部为所述非清洁对象部位，进行控制，使其温度为分解开始温度以下。

5.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

在所述清洁工序中，通过使清洁气体等离子体化，辅助所述腔室壁部的清洁。

6.如权利要求5所述的成膜方法，其特征在于，

所述清洁气体的等离子体化利用远程等离子体进行。

7.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

所述清洁气体还包含还原剂。

8.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

所述清洁气体还包含ClF₃气体。

9.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

所述清洁工序，使清洁对象部位的温度为成膜时的温度附近的温度而进行。

10.一种清洁方法，其特征在于，

该清洁方法，在腔室内的基板载置台上载置被处理基板，对所述腔室内进行排气，并在将所述基板载置台的温度设定为规定温度的状态下，从设置在腔室内的气体喷出部件喷出包含氯化金属化合物气体的处理气体，在所述基板载置台上的被处理体表面上形成金属膜或金属化合物膜后，对所述腔室内进行清洁，

该清洁方法，使用包含Cl₂气体的清洁气体，在所述腔室内不存在被处理基板的状态下，分别独立地控制所述基板载置台的温度、所述喷出部件的温度和所述腔室壁部的温度，并且控制所述腔室的压力，使清洁对象部位的温度为所述Cl₂气体的分解开始温度以上，并且使非清洁对象部位的温度低于所述Cl₂气体的分解开始温度，同时向所述腔室内导入清洁气体。

11.如权利要求10所述的清洁方法，其特征在于，

所述氯化金属化合物气体为TiCl₄气体，所述金属为Ti。