[发明专利]电场信息读头、电场信息写/读头及其制造方法以及使用其的信息存储装置

权利要求书

1.一种从记录介质的表面电荷读取信息的电场信息读头，所述电场信息 读头包括半导体衬底，该半导体衬底具有：

电阻区域，形成在所述半导体衬底的面向所述记录介质的表面的一端的 中部中，所述电阻区域用杂质轻掺杂；以及

源极区域和漏极区域，形成在所述半导体衬底的面向所述记录介质的表 面处且在所述电阻区域的两侧，所述源极区域和所述漏极区域与所述电阻区 域相比用杂质更重地掺杂。

2.如权利要求1所述的电场信息读头，其中所述半导体衬底是p型半导 体，所述电阻区域以及所述源极区域和所述漏极区域是n型半导体。

3.如权利要求1所述的电场信息读头，其中所述半导体衬底是n型半导 体，所述电阻区域以及所述源极区域和所述漏极区域是p型半导体。

4.如权利要求1所述的电场信息读头，其中所述源极区域和所述漏极区 域分别沿与所述半导体衬底的面向记录介质的表面相邻的一侧延伸，电极分 别与所述源极区域和所述漏极区域电连接。

5.如权利要求4所述的电场信息读头，还包括在面向记录介质的所述表 面上形成的气垫面图案。

6.一种电场信息写/读头包括：

权利要求1到5的任一项的所述电场信息读头；

绝缘层，形成在所述电阻区域上；以及

写头，形成在所述绝缘层上。

7.一种信息存储装置包括：

权利要求1到5的任一项的所述电场信息读头；以及

信息存储介质，包括由铁电体形成的铁电记录层，

其中所述电场信息读头的面向记录介质的所述表面以预定间隔悬浮到 所述记录层的表面，以读取被写入在所述信息存储介质中的信息。

8.一种信息存储装置包括：

权利要求6的所述电场信息写/读头；以及

包括铁电记录层的信息存储介质，

其中所述电场信息写/读头的面向记录介质的所述表面以预定间隔悬浮 到所述记录层的表面，以在所述信息存储介质上写入信息或读取被写入在所 述信息存储介质中的信息。

9.一种电场信息读头的制造方法，所述方法包括：

制备半导体衬底；

在所述半导体衬底的上表面上形成掩模层并图案化所述掩模层，以暴露 出用于形成源极区域和漏极区域的区域；

通过掺入与所述半导体衬底中的杂质具有不同极性的杂质，在所述半导 体衬底的面向记录介质的表面上形成所述源极区域和所述漏极区域；

去除所述掩模层的某些部分，以暴露出用于在所述半导体衬底上形成电 阻区域的区域；以及

通过掺入与所述半导体衬底中的杂质具有不同极性的杂质，在所述半导 体衬底的面向记录介质的表面上形成所述电阻区域，

其中所述电阻区域形成在所述半导体衬底的面向所述记录介质的表面 的一端的中部中，所述源极区域和所述漏极区域形成在所述电阻区域的两 侧，

其中所述半导体衬底的上表面是与半导体衬底的面向记录介质的表面 接触的表面。

10.如权利要求9所述的方法，其中形成所述掩模层包括：

热氧化形成于所述半导体衬底的上表面上的表面层，以形成氧化的掩模 层；以及

在所述氧化的掩模层上涂布第一光致抗蚀剂以形成图案化的氧化的掩 模层，从而采用光刻暴露出用于在所述半导体衬底上形成所述源极区域和所 述漏极区域的区域。

11.如权利要求10所述的方法，其中形成所述源极区域和所述漏极区域 包括：

在所述半导体衬底的上表面的被暴露的区域中离子注入杂质，从而在所 述半导体衬底的面向记录介质的表面上形成所述源极区域和所述漏极区域。