[发明专利]制造陶瓷衬底的方法以及陶瓷衬底

权利要求书

1.用于制造半导体组件的陶瓷衬底的方法，其特征在于方法步骤：

-制造至少含有纤维素纤维以及要碳化的填料和/或SiC的纸，其中， 将碳黑、或由碳黑和SiC组成的混合物、或由碳黑、SiC和Si组成的混 合物采用为填料，

-将所制造的纸热解，和

-将所热解的纸渗硅。

2.按照权利要求1的方法，其特征在于，增添如酚醛树脂或纤维素 的接合剂作为要热解的纸的添加剂。

3.按照权利要求1或2的方法，其特征在于，将具有以纸的由纤维 素纤维和填料所组成的千物质为基准的50重量％≤G≤85重量％的重量 分量G的填料放入到纸中。

4.按照权利要求3的方法，其特征在于，将具有以纸的由纤维素纤 维和填料所组成的干物质为基准的60重量％≤G≤80重量％的重量分量 G的填料放入到纸中。

5.按照权利要求1或2的方法，其特征在于，用极纯硅将所热解的 纸渗硅。

6.按照权利要求1或2的方法，其特征在于，用超量或缺量的极纯 硅将所热解的纸渗硅。

7.按照权利要求1或2的方法，其特征在于，借助硅熔体将所热解 的纸渗硅。

8.按照权利要求1或2的方法，其特征在于，将过量的硅在渗硅的 陶瓷衬底的至少一个平侧面上构造为硅层。

9.按照权利要求1或2的方法，其特征在于，在反应室中，在0.05 毫巴≤p≤50毫巴的压力p下，将所热解的纸渗硅。

10.按照权利要求9的方法，其特征在于，在反应室中，在p≈0.1 毫巴的压力p下，将所热解的纸渗硅。

11.按照权利要求1或2的方法，其特征在于，在惰性气体气氛中， 在使反应室通风之前、期间或之后构造Si层。

12.按照权利要求1或2的方法，其特征在于，在1350℃≤T≤2000℃ 的温度T下，使所碳化的纸与Si反应成SiC。

13.按照权利要求12的方法，其特征在于，在1650℃≤T≤1700℃ 的温度T下，使所碳化的纸与Si反应成SiC。

14.按照权利要求1或2的方法，其特征在于，在构造Si层之后熔 化所述Si层，并为了再结晶而将所述Si层冷却。

15.按照权利要求1或2的方法，其特征在于，将半导体组件的层以 外延的方式施加到再结晶的Si层上。

16.按照权利要求1至15之一所述的方法所制造的作为半导体组件 组成部分的载体形式的陶瓷衬底，其中，所述陶瓷衬底是纸，所述纸被 转换成SiC并且用可碳化的填料和/或SiC装载。

17.按照权利要求16的陶瓷衬底，其特征在于，所述陶瓷衬底在至 少一个平侧面上具有再结晶的Si层。

18.按照权利要求16或17的陶瓷衬底，其特征在于，所述陶瓷衬底 具有D≤2.0mm的厚度D。

19.按照权利要求18的陶瓷衬底，其特征在于，所述陶瓷衬底具有 D≤0.8mm的厚度D。

20.按照权利要求16或17的陶瓷衬底，其特征在于，所述陶瓷衬底 具有0.5mm≤D≤1mm的厚度D。

21.按照权利要求16或17的陶瓷衬底，其特征在于，所述陶瓷衬底 具有1600cm²≤F≤10000cm²的面积F。

22.按照权利要求16或17的陶瓷衬底，其特征在于，所述Si层具 有0.5μm≤d≤50μm的厚度d。

23.按照权利要求22的陶瓷衬底，其特征在于，所述Si层具有10 μm≤d≤20μm的厚度d。