[发明专利]具有下部填充的吸热器的半导体器件

权利要求书

1.一种用于形成具有集成吸热器的半导体器件的方法，包括：

提供包括半导体并具有上表面和下表面的衬底，以及在所述半导 体中邻近于所述上表面提供器件区；

形成一个或多个凹陷，所述凹陷从所述下表面向所述器件区延伸 并位于所述器件区和所述下表面之间；以及

用导热性高于所述半导体的材料填充所述一个或多个凹陷，以暴 露所述材料的第一表面，从而产生所述集成吸热器。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一表面基本上与下 表面共面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一表面基本上平行 于所述下表面并延伸超出所述下表面。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底是复合衬底，具 有第一区域，所述第一区域延伸至所述上表面并包含其中形成有所述 器件区的所述半导体；介电层，位于所述第一区域之下；以及第二区 域，位于所述介电层之下并延伸至所述下表面。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述一个或多个凹陷从所 述下表面延伸至所述介电层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述一个或多个凹陷 包括：使用蚀刻所述第二区域而基本上不蚀刻所述介电层的蚀刻剂来 蚀刻所述第二区域。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二区域包括半导体。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述填充步骤 之后，将所述半导体器件安装到散热片上，且所述集成吸热器与所述 散热片热接触。

9.一种形成用于半导体器件区的一个或多个下部填充的吸热器 的方法，包括：

提供衬底，所述衬底具有上表面、下表面、以及所述器件区位于 其中并延伸至所述上表面的半导体；

从所述器件区下方的所述下表面在所述衬底中蚀刻一个或多个 凹陷，所述一个或多个凹陷穿过所述衬底向所述器件区部分地延伸； 以及

使用相对于所述衬底具有较高导热性的材料填充所述一个或多 个凹陷，以使得所述材料的外表面位于所述下表面处或超出所述下表 面。

10.根据权利要求9所述的方法，其中填充所述一个或多个凹陷 包括：

使用所述材料覆盖所述下表面和所述一个或多个凹陷至至少足 以填充所述一个或多个凹陷的厚度；以及

去除过量材料以使所述材料的所述外表面基本上与所述下表面 共面。

11.根据权利要求10所述的方法，其中去除过量材料包括：通 过也去除所述下表面处的部分所述衬底来减薄所述衬底。

12.根据权利要求9所述的方法，其中填充所述一个或多个凹陷 包括：

使用所述材料覆盖所述下表面和所述一个或多个凹陷至大于足 以填充所述一个或多个凹陷的厚度；以及

去除过量材料以使得所述材料的外表面基本上是平坦的并位于 所述下表面之外。

13.根据权利要求9所述的方法，所述衬底是基本上从所述上表 面延伸至所述下表面的半导体。

14.根据权利要求9所述的方法，其中：

提供衬底包括：提供复合衬底，所述复合衬底具有邻近包含所述 器件区的所述上表面的第一半导体区、邻近所述下表面的第二半导体 区、以及位于所述第一半导体区和所述第二半导体区之间的绝缘层； 以及

蚀刻一个或多个凹陷包括：蚀刻从所述器件区下方的所述下表面 延伸穿过所述第二半导体区至所述绝缘层的一个或多个凹陷。