[发明专利]喷淋板及其制造方法以及使用了该喷淋板的等离子体处理装置、等离子体处理方法及电子器件的制造方法

权利要求书

1.一种喷淋板，配置于等离子体处理装置中，具备为了在所述装置内产生等离子体而放出等离子体激发用气体的多个气体放出孔，

在分别安装于在喷淋板上开设的多个纵孔中的陶瓷构件上设置至少一个以上的气体放出孔，气体放出孔的长度与孔径的纵横比(长度/孔径)为20以上。

2.根据权利要求1所述的喷淋板，其特征在于，气体放出孔的孔径为形成于喷淋板正下方的等离子体的鞘层厚度的2倍以下，并且长度长于所述处理室中的电子的平均自由行程。

3.根据权利要求1或2所述的喷淋板，其特征在于，所述纵孔的气体导入侧的端部进行了倒角。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的喷淋板，其特征在于，所述纵孔的直径在长度方向上不同。

5.根据权利要求4所述的喷淋板，其特征在于，所述纵孔的气体导入侧的直径大于气体放出侧的直径。

6.根据权利要求4所述的喷淋板，其特征在于，所述纵孔的气体导入侧的直径小于气体放出侧的直径。

7.根据权利要求4至6中任意一项所述的喷淋板，其特征在于，所述陶瓷构件被安装于所述纵孔的大径部和小径部双方中。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的喷淋板，其特征在于，所述陶瓷构件的气体放出侧的端面与喷淋板的气体放出侧的面大致处于同一平面。

9.根据权利要求8所述的喷淋板，其特征在于，所述陶瓷构件的气体导入侧的端面处于所述纵孔的内部。

10.根据权利要求9所述的喷淋板，其特征在于，在所述纵孔的内部安装有多孔陶瓷构件，并且该多孔陶瓷构件比所述陶瓷构件的气体导入侧的端面更靠近气体导入侧。

11.根据权利要求1～10中任意一项所述的喷淋板，其特征在于，在各陶瓷构件上设有多个气体放出孔。

12.根据权利要求6所述的喷淋板，其特征在于，在所述纵孔的气体导入侧的小径部安装有第一陶瓷构件，并且在所述纵孔的气体放出侧的大径部安装有第二陶瓷构件，在该第二陶瓷构件的气体导入侧设有凹部，从所述第一陶瓷构件的气体放出孔放出的等离子体激发用气体向所述凹部中扩散而充满后，从所述第二陶瓷构件的气体放出孔向等离子体处理装置内放出，所述第二陶瓷构件的气体放出孔的数目多于所述第一陶瓷构件的气体放出孔的数目。

13.一种喷淋板的制造方法，向使原料粉末成形并加工形成了纵孔的喷淋板的生料体、脱脂体或预烧结体的所述纵孔中，装入具有1个以上气体放出孔的陶瓷构件的生料体、脱脂体、预烧结体或烧结体后，同时进行烧结。

14.一种配置了权利要求1至12中任意一项所述的喷淋板的等离子体处理装置。

15.一种等离子体处理方法，使用权利要求1至12中任意一项所述的喷淋板向等离子体处理装置内供给等离子体激发用气体，利用微波激发所供给的等离子体激发用气体而产生等离子体，使用该等离子体对基板实施氧化、氮化、氧氮化、CVD、蚀刻或等离子体照射。

16.一种包括利用权利要求15所述的等离子体处理方法来处理基板的工序的电子器件的制造方法。