[发明专利]荧光体、其制备方法和发光装置无效

专利信息
申请号: 200780027166.0 申请日: 2007-07-11
公开(公告)号: CN101490210A 公开(公告)日: 2009-07-22
发明(设计)人: 盐井恒介 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: C09K11/64 分类号: C09K11/64;C09K11/08;H01L33/00;H05B33/14;C09K11/80
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 林柏楠;刘金辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 荧光 制备 方法 发光 装置
【权利要求书】:

1、一种荧光体,表示为M1(x1)M2(x2)M312(O,N)16,其中M1表示一种或多种选自Li、Mg、Ca、Sr、Ba,、Y、La、Gd和Lu组成的组的金属元素,M2表示一种或多种选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb和Er组成的组的金属元素,M3表示一种或多种选自Si、Ge、Sn、B、Al、Ga和In组成的组的金属元素,且x1和x2满足0<x1、x2<2和0<x1+x2<2。

2、一种基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体,包含5质量%或更低量的Sr和Ba中的至少一种。

3、根据权利要求2的基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体,其中其包含Eu。

4、根据权利要求1至3中任一项的荧光体,其中其具有的平均粒子直径是50μm或更小。

5、一种方法,用于制备根据权利要求1的荧光体,包括在1600至2200℃的非氧化气氛下烧制荧光体的原材料混合物。

6、根据权利要求5的方法,其中在碳或含碳化合物存在下烧制。

7、根据权利要求5或6的方法,其中原材料混合物已经加入到作为种子的预先合成的目标荧光体粉末中。

8、根据权利要求5至7中任一项的方法,其中预先将原材料混合物填充在由氧化铝、氧化钙、氧化镁、石墨或氮化硼制成的坩埚中。

9、根据权利要求8的方法,其中以占坩埚20容积%或更多的量预先填充原材料混合物。

10、根据权利要求5至9中任一项的方法,其中原材料混合物是混合物或双化合物,选自金属、硅化物、氧化物、碳酸盐、氮化物、氧氮化物、氯化物、氟化物、氧氟化物、氢氧化物、草酸盐、硫酸盐、硝酸盐、有机金属化合物和通过加热能够形成氧化物、氮化物和氧氮化物的化合物组成的组。

11、一种方法,用于制备根据权利要求2的基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体,包括在1600至2200℃的非氧化气氛下烧制荧光体的原材料混合物。

12、根据权利要求11的方法,其中在碳或含碳化合物存在下实现烧制。

13、根据权利要求11或12的方法,其中原材料混合物已经加入到作为种子的预先合成的目标荧光体粉末中

14、根据权利要求11至14中任一项的方法,其中预先将原材料混合物填充在由氧化铝、氧化钙、氧化镁、石墨或氮化硼制成的坩埚中。

15、根据权利要求14的方法,其中以占坩埚20容积%或更多的量预先填充原材料混合物。

16、根据权利要求11至15中任一项的方法,其中原材料混合物是混合物或双化合物,选由金属、硅化物、氧化物、碳酸盐、氮化物、氧氮化物、氯化物、氟化物、氧氟化物、氢氧化物、草酸盐、硫酸盐、硝酸盐、有机金属化合物和通过加热能够形成氧化物、氮化物和氧氮化物的化合物组成的组。

17、一种发光设备,其结合了根据权利要求1至4中任一项的荧光体和发光装置。

18、根据权利要求17的发光设备,其中发光装置是基于氮化物的半导体发光装置且具有250nm至500nm的发射波长。

19、根据权利要求17或18的发光设备,其中发光装置是EL发光装置且具有250nm至500nm的发射波长。

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