[发明专利]用于抛光低介电材料的抛光液无效
| 申请号： | 200780027182.X | 申请日： | 2007-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101490734A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 陈国栋;宋伟红;荆建芬;徐春;顾元 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G09G1/02 | 分类号： | G09G1/02;C09K3/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 中国上海市浦东新区张江高科技园*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 抛光 低介电 材料 | ||
1.一种用于抛光低介电材料的抛光液，该抛光液包括掺铝二氧化硅磨 料和水，其特征在于：其还包括含铵根离子或季铵类的小分子活性物质，所 述小分子活性物质的百分含量为0.001～0.5％、分子量为MW＜500。
2.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的活性物质包括氨 水、五硼酸铵、酒石酸铵、四甲基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵和/或四丁基四 氟硼酸铵。
3.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的掺铝二氧化硅磨 料的浓度为1～20％。
4.如权利要求1～3任一项所述的抛光液，其特征在于：所述的掺铝二 氧化硅磨料为溶胶型掺铝二氧化硅分散液。
5.如权利要求4所述的抛光液，其特征在于：所述的溶胶型掺铝二氧 化硅分散液的pH值为2～7。
6.如权利要求4所述的抛光液，其特征在于：所述的掺铝二氧化硅磨 料的粒径是5～500nm。
7.如权利要求6所述的抛光液，其特征在于：所述的掺铝二氧化硅磨 料的粒径是5～100nm。
8.如权利要求1～3任一项所述的抛光液，其特征在于：该抛光液的pH 值为2～7。
9.如权利要求1～3任一项所述的抛光液，其特征在于：所述的抛光液 还包括阻蚀剂、氧化剂、速率增助剂和/或表面活性剂。
10.如权利要求1～3任一项所述的抛光液，其特征在于：所述的低介 电材料是掺碳二氧化硅。
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