[发明专利]用于提高氧化物移除速率的镓与铬离子

权利要求书

1.一种化学-机械抛光组合物，其包含：

(a)二氧化硅，

(b)其量足以提供0.2mM至10mM的选自镓(III)、铬(II)及铬(III)的金属 阳离子的化合物，及

(c)水，

其中该抛光组合物具有1至6的pH值。

2.权利要求1的抛光组合物，其中该二氧化硅以0.1重量％至10重量％ 的量存在。

3.权利要求1的抛光组合物，其中该二氧化硅为缩聚二氧化硅。

4.权利要求3的抛光组合物，其中该二氧化硅具有10nm至80nm的平 均粒径。

5.权利要求1的抛光组合物，其中该化合物包含盐，该盐包含选自醋酸 根、氯离子、硝酸根及硫酸根的阴离子。

6.权利要求1的抛光组合物，其中该化合物为硝酸镓。

7.权利要求6的抛光组合物，其中该硝酸镓以1mM至8mM的浓度存 在。

8.权利要求1的抛光组合物，其中该抛光组合物进一步包含螯合剂。

9.权利要求1的抛光组合物，其中该pH值为2至5。

10.权利要求9的抛光组合物，其中该pH值为2至4。

11.一种化学-机械抛光基板的方法，该方法包括：

(a)提供基板；

(b)使该基板与抛光垫及权利要求1-10中任一项的化学-机械抛光组合物 接触，

(c)相对于该基板移动该抛光垫，其间具有该化学-机械抛光组合物，及

(d)磨除该基板的至少一部分以抛光该基板。

12.权利要求11的方法，其中该基板包含介电层。

13.权利要求12的方法，其中该介电层选自二氧化硅、掺杂碳的二氧化 硅及经有机改性的硅玻璃。

14.权利要求13的方法，其中该基板进一步包含至少一层金属层。

15.权利要求14的方法，其中该至少一层金属层选自铝、铜、钨及其组 合。

16.权利要求15的方法，其中该基板进一步包含至少一层阻挡层。

17.权利要求16的方法，其中该至少一层阻挡层选自钽、钛、其氮化物、 及其组合。