[发明专利]切片及芯片键合带以及半导体芯片制造方法

权利要求书

1.切片及芯片键合带，其用于对晶片进行切片来得到半导体芯片，并对半导体芯片进行芯片键合，其中，

该切片及芯片键合带包括芯片键合膜和贴附于该芯片键合膜的一面上的非粘性膜，

所述芯片键合膜与所述非粘性膜之间的剥离强度为1～6N/m的范围，并且所述芯片键合膜与所述非粘性膜之间的剪切强度为0.3～2N/mm²，

所述非粘性膜的主成分为(甲基)丙烯酸酯聚合物，该(甲基)丙烯酸酯聚合物具有烷基，该烷基的碳原子数为1～18。

2.根据权利要求1所述的切片及芯片键合带，其中，所述非粘性膜在其断裂点的伸长率为10～100％的范围或者580～1200％的范围。

3.根据权利要求1所述的切片及芯片键合带，其中，所述非粘性膜在拾取时的温度下的弹性模量为1～400MPa的范围。

4.根据权利要求2所述的切片及芯片键合带，其中，所述非粘性膜在拾取时的温度下的弹性模量为1～400MPa的范围。

5.根据权利要求1所述的切片及芯片键合带，其中，所述非粘性膜在拾取时的温度下的储能模量为1～400MPa，并且其在所述断裂点的伸长率为5～100％的范围。

6.根据权利要求1所述的切片及芯片键合带，其中，所述非粘性膜的与所述芯片键合膜贴附的面的表面能为40N/m以下。

7.根据权利要求2所述的切片及芯片键合带，其中，所述非粘性膜的与所述芯片键合膜贴附的面的表面能为40N/m以下。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的切片及芯片键合带，其中，所述非粘性膜包含固化性树脂组合物的交联和固化物。

9.根据权利要求1所述的切片及芯片键合带，其中，所述(甲基)丙烯酸酯聚合物的酸值为2以下。

10.根据权利要求1所述的切片及芯片键合带，其中，所述非粘性膜还含有低聚物，该低聚物具有能够与丙烯酰基反应的双键性官能团，并且该低聚物的重均分子量为1000～50000的范围，该低聚物的玻璃化转变温度Tg为25℃以下。

11.根据权利要求10所述的切片及芯片键合带，其中，相对于100重量份的所述(甲基)丙烯酸酯聚合物混合1～100重量份的所述低聚物。

12.根据权利要求10所述的切片及芯片键合带，其中，所述低聚物为丙烯酸类低聚物，且该低聚物具有选自聚醚骨架、聚酯骨架、丁二烯骨架、聚氨酯骨架、硅酸盐骨架和双环戊二烯骨架中的1种骨架。

13.根据权利要求12所述的切片及芯片键合带，其中，所述丙烯酸类低聚物分子两末端具有丙烯酰基。

14.根据权利要求12所述的切片及芯片键合带，其中，所述丙烯酸类低聚物为具有3～10个官能团的氨基甲酸酯丙烯酸类低聚物。

15.根据权利要求1～7、9～14中任一项所述的切片及芯片键合带，其中，所述非粘性膜还含有平均粒径为0.1～10μm的填料粒子。

16.根据权利要求8所述的切片及芯片键合带，其中，所述非粘性膜还含有平均粒径为0.1～10μm的填料粒子。

17.根据权利要求1～7、9～14中任一项所述的切片及芯片键合带，其中，所述非粘性膜具有由第1层和第2层叠层而成的2层结构。

18.根据权利要求8所述的切片及芯片键合带，其中，所述非粘性膜具有由第1层和第2层叠层而成的2层结构。

19.根据权利要求15所述的切片及芯片键合带，其中，所述非粘性膜具有由第1层和第2层叠层而成的2层结构。

20.根据权利要求17所述的切片及芯片键合带，其中，所述非粘性膜的第1层是低弹性模量层，该低弹性模量层在23℃的弹性模量为1～1000MPa。

21.根据权利要求20所述的切片及芯片键合带，其中，所述低弹性模量层由包含丙烯酸类树脂或硅树脂的材料制成。

22.根据权利要求1所述的切片及芯片键合带，其中，在所述非粘性膜的与所述芯片键合膜贴附的一面的相反面贴附有切片膜。