[发明专利]使用消逝场激发的辐射探测器

权利要求书

1、一种用于当至少一个样品(108)受到入射激发辐射激发时，探测 来自所述至少一个样品(108)的发光的探测系统(100、150、180、200、 220、250)，所述探测系统(100、150、180、200、220、250)包括具有至 少第一表面(104)的至少一个光学部件(102)和至少一个探测器元件(110)， 其中

所述至少一个光学部件(102)的所述第一表面(104)被定位成对入 射激发辐射进行全内反射，从而在所述至少一个光学部件(102)外部生成 用于激发所述至少一个样品(108)的消逝场，以及

所述至少一个探测器元件(110)与所述至少一个光学部件(102)直 接接触，以探测来自至少一个受激发样品(108)的通过所述至少一个光学 部件(102)的发光。

2、根据权利要求1所述的探测系统(100、150、180、200、220、250)， 其中，所述至少一个光学部件(102)为棱镜。

3、根据权利要求1所述的探测系统(100、150、180、200、220、250)， 其中，所述至少一个探测器元件(110)与所述至少一个光学部件(102) 的第二表面(112)直接接触，所述至少一个光学部件(102)的所述第一 表面(104)与所述第二表面(112)之间的角度适合于所述至少一个样品 (108)的所述辐射耦合入所述光学元件(102)的主要发光辐射方向，以 便在所述探测器元件(110)中接收进入所述至少一个光学部件(102)的 所述至少一个样品(108)的所述发光的相当大部分。

4、根据权利要求3所述的探测系统(100、150、180、200、220、250)， 其中，所述至少一个样品(108)的所述发射模式是这样的，即在相对于所 述第一表面(104)的法线大致为角α的情况下发射所述发光的相当大部分， 所述至少一个光学部件(102)的所述第二表面(112)与所述第一表面(104) 所呈的角度大于所述角α。

5、根据权利要求3所述的探测系统(100、150、180、200、220、250)， 其中，所述第二表面(112)为所述激发辐射通过其耦合到所述光学部件 (102)的表面。

6、根据权利要求1所述的探测系统(100、150、180、200、220、250)， 其中，所述至少一个光学部件(102)相对于所述样品进行布置，并包括具 有使超过50％的所述发光耦合到所述至少一个光学部件(102)中的折射率 的材料。

7、根据权利要求1所述的探测系统(250)，其中，所述至少一个探测 器(110)包括探测器元件(110)阵列。

8、根据权利要求1所述的探测系统(100、150、180、200、220、250)， 所述至少一个光学部件(102)包括多个光学部件，所述多个光学部件的每 个用于接收至少一个样品(108)的发光。

9、根据权利要求7所述的探测系统(100、150、180、200、220、250)， 其中，以这样的方式布置所述多个光学部件(102)，即使得每个所述光学 部件(102)的表面平行于同一平面，并使得所述光学部件(102)接收大 致垂直于所述平面的所述激发辐射。

10、根据权利要求8所述的探测系统(100、250)，其中，所述至少一 个探测器元件(110)包括多个探测器元件(110)，其探测表面平行于同一 平面，并且处于所述光学部件(102)中从其将所述激发辐射接收到所述光 学部件(102)中的一侧的同一侧。

11、根据权利要求1所述的探测系统(100、150、180、200、220、250)， 其中，所述探测系统还包括用于将来自耦合入所述光学部件(102)的至少 一个受激发样品(108)的发光反射朝向所述至少一个探测器元件(110) 的表面。