[发明专利]具有在编程期间的耦合补偿的浮动栅极存储器

权利要求书

1.一种编程非易失性存储装置的方法，其包含：

将非易失性存储元件编程为与特定经编程状态相关联的粗略验证电平；

将第一子组所述非易失性存储元件执行额外编程为与所述特定经编程状态相关 联的第一精细最终目标电平；以及

将第二子组所述非易失性存储元件执行额外编程为与所述特定经编程状态相关 联的第二精细最终目标电平，

其中，所述第一精细最终目标电平与所述第二精细最终目标电平不同；

其中，补偿所述第一子组所述非易失性存储元件的浮动栅极至浮动栅极耦合；且 不补偿所述第二子组所述非易失性存储元件的浮动栅极至浮动栅极耦合。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述特定经编程状态是多个经编程状态中的一者；

所述非易失性存储元件是非易失性存储元件阵列的一部分；且

所述非易失性存储元件被作为目标以编程为所述特定经编程状态。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一子组所述非易失性存储元件与处于第一条件的一个或一个以上邻近非 易失性存储元件相邻，其中，所述第一条件是不同的经编程状态；且

所述第二子组所述非易失性存储元件不与处于所述第一条件的一个或一个以上 邻近非易失性存储元件相邻。

4.根据权利要求3所述的方法，其中：

第一精细最终目标电平低于所述第二精细最终目标电平。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述对所述第一子组所述非易失性存储元件执行额外编程以及所述对所述第二 子组所述非易失性存储元件执行额外编程包括：施加一同组编程脉冲至所述第一子 组所述非易失性存储元件及所述第二子组所述非易失性存储元件的控制栅极。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述将非易失性存储元件编程为所述粗略验证电平包括：对于所述非易失性存储 元件施加第一位线电压；且

所述对所述第一子组所述非易失性存储元件执行额外编程以及所述对所述第二 子组所述非易失性存储元件执行额外编程包括：对于所述非易失性存储元件施加不 同于所述第一位线电压的一个或一个以上位线电压。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述非易失性存储元件是NAND快闪存储器装置。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述非易失性存储元件是多状态式快闪存储器装置。

9.一种非易失性存储系统，其包含：

非易失性存储元件；以及

管理电路，其与所述非易失性存储元件连通，所述管理电路将所述非易失性存储 元件编程为与特定经编程状态相关联的粗略验证电平，所述管理电路使用与所述特 定经编程状态相关联的第一精细最终目标电平对第一子组所述非易失性存储元件 执行额外编程，并使用与所述特定经编程状态相关联的第二精细最终目标电平对第 二子组所述非易失性存储元件执行额外编程，

其中，所述第一精细最终目标电平与所述第二精细最终目标电平不同；

其中，补偿所述第一子组所述非易失性存储元件的浮动栅极耦合；且

不补偿所述第二子组所述非易失性存储元件的浮动栅极耦合。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储系统，其中：

所述特定经编程状态是多个经编程状态中的一者；且

所述管理电路包括控制电路、一功率控制电路、若干解码器、一状态机、一控制 器及若干感测区块中的任一者或组合。

11.根据权利要求9所述的非易失性存储系统，其中：

所述第一子组所述非易失性存储元件与处于第一条件的一个或一个以上邻近非 易失性存储元件相邻，其中，所述第一条件是不同的经编程状态；且

所述第二子组所述非易失性存储元件不与处于所述第一条件的一个或一个以上 邻近非易失性存储元件相邻。