[发明专利]基于使用耦合感测邻近者来对非易失性存储器中的相邻存储元件之间的耦合进行补偿

权利要求书

1.一种用于操作非易失性存储装置的方法，其包含：

确定一组非易失性存储元件是否处于第一条件，其中所述第一条件对应于一组电 荷存储状态中的最高经编程状态；

响应于所述确定，对用于经确定处于所述第一条件的非易失性存储元件的第一组 控制线进行充电；以及

响应于所述充电，通过感测用于非处于所述第一条件的非易失性存储元件的第二 组控制线以确定所述第一组控制线是否已充分耦合至所述第二组控制线，来确定所 述组非易失性存储元件中的哪一些非易失性存储元件具有处于所述第一条件的邻 近非易失性存储元件，与已充分耦合至所述第一组控制线的所述第二组控制线相关 联的非易失性存储元件具有处于所述第一条件的至少一个邻近者。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述确定所述组非易失性存储元件是否处于所述第一条件包括：确定所述组非易 失性存储元件是否具有比来自一组读取比较电压中的最高读取比较电压大的阈值 电压，所述组读取比较电压是用于一组三个或三个以上经编程状态与一个经擦除状 态；以及

所述组非易失性存储元件包括：第一子组非易失性存储元件，其具有比所述最高 读取比较电压大的阈值电压；以及第二子组非易失性存储元件，其具有比所述最高 读取比较电压小的阈值电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述确定所述组非易失性存储元件是否处于所述第一条件包括：确定所述组非易 失性存储元件是否具有比来自一组读取比较电压中的最高读取比较电压大的阈值 电压，所述组读取比较电压是用于一组七个或七个以上经编程状态与一个经擦除状 态；以及

所述组非易失性存储元件包括：第一子组非易失性存储元件，其具有比所述最高 读取比较电压大的阈值电压；以及第二子组非易失性存储元件，其具有比所述最高 读取比较电压小的阈值电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一组控制线及所述第二组控制线是位线。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述感测包含：

通过确定所述第二组控制线是否已被充电至高于第一预定电平，感测所述第二组 控制线是否已耦合至所述第一组控制线；以及

存储所述第二组控制线是否已被充电至高于所述第一预定电平的指示。

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

使用第二预定电平，重复所述充电和确定所述组非易失性存储元件中的哪一些非 易失性存储元件具有处于所述第一条件的邻近非易失性存储元件的步骤，所述第一 预定电平是用于识别具有处于所述第一条件的第一数目的邻近非易失性存储元件 的非易失性存储元件，且所述第二预定电平是用于识别具有处于所述第一条件的第 二数目的邻近非易失性存储元件的非易失性存储元件。

7.根据权利要求1所述的方法，其中响应于所述充电感测用于非处于所述第一条件的 非易失性存储元件的所述第二组控制线以确定所述第一组控制线是否已充分耦合 至所述第二组控制线包含：

确定与所述第二组控制线中的一个控制线连通的电容器是否充电以便对所述一 个控制线进行放电。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：

读取所述组非易失性存储元件，其包括当读取所述组非易失性存储元件中具有处 于所述第一条件的一个或一个以上邻近非易失性存储元件的所述非易失性存储元 件时，使用对浮动栅极耦合的补偿。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

所述第一组控制线及所述第二组控制线是位线；且

所述浮动栅极耦合是在与邻近位线相关联且在相同字线上的浮动栅极之间。

10.根据权利要求8所述的方法，其中：

所述读取所述组非易失性存储元件包括，读取所述组非易失性存储元件中不具有 处于所述第一条件的一个或一个以上邻近非易失性存储元件的所述非易失性存储 元件，而不使用对浮动栅极耦合的补偿。