[发明专利]多孔膜的前体组合物及其制备方法、多孔膜及其制作方法、以及半导体装置

权利要求书

1.多孔膜的前体组合物，其特征在于，含有

选自下述通式(1)所示的化合物(A)和下述通式(2)所示的化 合物(B)的至少1种化合物，

Si(OR¹)₄                (1)

R_a(Si)(OR²)_4-a          (2)

上述式(1)和(2)中，R¹表示碳数1～5的烷基、苯基、萘基、 甲基苯基、乙基苯基、氯苯基、溴苯基或氟苯基，R表示氢原子、氟原 子、碳数1～5的烷基、苯基、萘基、甲基苯基、乙基苯基、氯苯基、 溴苯基或氟苯基，R²表示碳数1～5的烷基、苯基、萘基、甲基苯基、 乙基苯基、氯苯基、溴苯基或氟苯基，a为1～3的整数，R、R¹和R²相 同或不同；和

在250℃以上发生热解的热解性有机化合物(C)；和

选自电负性2.5以下的两性元素、离子半径以上的元素和原 子量130以上的元素中的至少1种元素(D)；以及

化合物(E)，该化合物(E)在90℃～200℃的温度范围内热解， 且通过该热解生成胺类，在该热解温度以下，该化合物(E)的水溶液 或水与醇的混合溶液的pH处于6.5～8的范围内，

其中，相对于前体组合物中的1摩尔Si原子，含有0.03～0.13摩 尔浓度的上述化合物(E)，

上述热解性有机化合物(C)为分子量200～5000的表面活性剂。

2.权利要求1所述的多孔膜的前体组合物，其特征在于，上述前 体组合物中所含的除上述元素(D)以外的金属离子杂质在10ppb以下。

3.权利要求1所述的多孔膜的前体组合物，其特征在于，上述元 素(D)为选自B、Al、P、Zn、Ga、Ge、As、Se、In、Sn、Sb、Te、Cs、 Ba、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、Po、At和镧 系元素的至少1种元素。

4.权利要求1～3任一项所述的多孔膜的前体组合物，其特征在 于，上述化合物(E)为尿素，该尿素相对于前体组合物中的1摩尔Si 原子，含有0.03～0.13摩尔浓度。

5.多孔膜的前体组合物的制备方法，其特征在于，将选自下述通 式(1)所示的化合物(A)和下述通式(2)所示的化合物(B)的至少 1种化合物、在250℃以上发生热解的热解性有机化合物(C)、和选自 电负性2.5以下的两性元素、离子半径以上的元素和原子量130 以上的元素中的至少1种元素(D)或含有该元素(D)的至少1种化合 物在有机溶剂中混合，在所得混合溶液中，再混合在90℃～200℃的温 度范围内热解，且通过该热解生成胺类，在该热解温度以下，其水溶液 或水与醇的混合溶液的pH处于6.5～8范围内的化合物(E)，

Si(OR¹)₄            (1)

R_a(Si)(OR²)_4-a      (2)

上述式(1)和(2)中，R¹表示碳数1～5的烷基、苯基、萘基、 甲基苯基、乙基苯基、氯苯基、溴苯基或氟苯基，R表示氢原子、氟原 子、碳数1～5的烷基、苯基、萘基、甲基苯基、乙基苯基、氯苯基、 溴苯基或氟苯基，R²表示碳数1～5的烷基、苯基、萘基、甲基苯基、 乙基苯基、氯苯基、溴苯基或氟苯基，a为1～3的整数，R、R¹和R²相 同或不同，

其中，相对于前体组合物中的1摩尔Si原子，混合0.03～0.13摩 尔浓度的上述化合物(E)，

上述热解性有机化合物(C)为分子量200～5000的表面活性剂。