[发明专利]晶型5(S)-(2’-羟基乙氧基)-20(S)-喜树碱

权利要求书

1.晶型5(S)-(2′-羟基乙氧基)-20(S)-喜树碱，其具有结构：

2.权利要求1的晶体5(S)-(2′-羟基乙氧基)-20(S)-喜树碱，其特征在于X射线粉末衍射图包含一个或多个选自7.2±0.1，9.4±0.1，11.02±0.1，12.00±0.1，14.54±0.1，15.2±0.1，18.92±0.1，21.86±0.1，22.74±0.1和26.42±0.1°2θ的峰强。

3.权利要求1和2中任一项的晶体5(S)-(2′-羟基乙氧基)-20(S)-喜树碱，其具有单斜晶空间群P2₁内的晶体，晶胞参数a＝6.308(1)b＝15.924(3)c＝18.771(4)β＝95.519(5)；V＝1876.8(7)和Z＝4，所述参数用CCD面积检测器石墨单色MoKα辐射(λ＝0.7107)通过单晶衍射计测量。

4.权利要求1至3中任一项的晶体5(S)-(2′-羟基乙氧基)-20(S)-喜树碱，其特征在于差示扫描量热法测量的单熔融吸热峰在约234℃至238℃之间。

5.权利要求1至4中任一项的晶体5(S)-(2′-羟基乙氧基)-20(S)-喜树碱，其是无水的。

6.权利要求1至5中任一项的晶体5(S)-(2′-羟基乙氧基)-20(S)-喜树碱，其全相纯度超过97％。

7.权利要求1至6中任一项的晶体5(S)-(2′-羟基乙氧基)-20(S)-喜树碱，其基本不含5(R)-(2′-羟基乙氧基)-20(S)-喜树碱。

8.权利要求1至7中任一项的晶体5(S)-(2′-羟基乙氧基)-20(S)-喜树碱，其在7.2±0.1°2θ处具有X射线粉末衍射峰。

9.权利要求1至8中任一项的晶体5(S)-(2′-羟基乙氧基)-20(S)-喜树碱，其还具有至少一个选自9.4±0.1，11.02±0.1，12.00±0.1，14.54±0.1，15.20±0.1，和18.92±0.1°2θ的另外的X射线粉末衍生峰。

10.权利要求1至9中任一项的晶体5(S)-(2′-羟基乙氧基)-20(S)-喜树碱，其FT-IR光谱包含至少一个选自3271±2，1743±2，1669±2，1607±2，1225±2，1158±2，1043±2和992±2cm^-1的吸收带。

11.权利要求1至10中任一项的晶体5(S)-(2′-羟基乙氧基)-20(S)-喜树碱，其FT-IR光谱在1743±2cm^-1处包含吸收带。

12.权利要求1至11中任一项的晶体5(S)-(2′-羟基乙氧基)-20(S)-喜树碱，其FT-IR光谱还包含至少一个选自3271±2，1669±2，1607±2，1225±2，1158±2，1043±2和992±2cm^-1的吸收带。

13.权利要求1至12中任一项的晶体5(S)-(2′-羟基乙氧基)-20(S)-喜树碱，其X射线衍射图在7.2±0.1°2θ处具有衍射峰，且FT-IR光谱在1743±2cm^-1处具有吸收带。

14.权利要求1至13中任一项的晶体5(S)-(2′-羟基乙氧基)-20(S)-喜树碱，其X射线衍射图在7.2±0.1°2θ处具有衍射峰，且FT-IR光谱在3271±2和1743±2cm^-1处具有吸收带。

15.权利要求1至14中任一项的晶体5(S)-(2′-羟基乙氧基)-20(S)-喜树碱，其X射线粉末衍射图在7.2±0.1和9.4±0.1°2θ处具有衍射峰，且FT-IR光谱在1743±2cm^-1处具有吸收带。

16.权利要求1至15中任一项的晶体5(S)-(2′-羟基乙氧基)-20(S)-喜树碱，其X射线粉末衍射图在7.2±0.1和9.4±0.1°2θ处具有衍射峰，且FT-IR光谱在3271±2和1743±2cm^-1处具有吸收带。