[发明专利]多孔质绝缘膜的形成方法

权利要求书

1.一种绝缘膜的形成方法，所述方法利用两种以上的具有环状有机硅石结构的原料气体的等离子体反应来形成有机硅石膜，其特征在于，所述两种以上的原料气体包含主骨架上具有3元SiO环状结构的原料和主骨架上具有4元SiO环状结构的原料，并且这些原料气体的至少一种的侧链上具有至少一个不饱和烃基，其中所述具有3元SiO环状结构的所述环状有机硅石化合物原料具有下记式1所示的结构，其中R1、R2各自为不饱和碳化合物或者饱和碳化合物，并且为乙烯基、烯丙基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基中的任意一个

(式1)。

2.根据权利要求1所述的绝缘膜的形成方法，其特征在于，具有所述硅石结构的所述原料气体分别在不同的汽化器中汽化并被导入到反应容器中。

3.根据权利要求1所述的绝缘膜的形成方法，其特征在于，具有所述硅石结构的所述原料气体在同一个汽化器中汽化并被导入到反应容器中。

4.根据权利要求1所述的绝缘膜的形成方法，其特征在于，所述具有3元SiO环状结构的环状有机硅石化合物原料是由下记式2、式3、式4、式5所表示的化合物中的至少一种 

(式2)

(式3)

(式4) 

(式5)。

5.根据权利要求1所述的绝缘膜的形成方法，其特征在于，所述具有4元SiO环状结构的环状有机硅石化合物原料具有下记式6所示的结构，其中，R3、R4各自为不饱和碳化合物、饱和碳化合物或氢，并且包括氢、乙烯基、烯丙基、甲基乙烯基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基中的任意一个

(式6)。

6.根据权利要求1所述的绝缘膜的形成方法，其特征在于，所述具有4元SiO环状结构的环状有机硅石化合物原料包括具有下记式7、式8、式9、式10所示结构的化合物的至少一种 

(式7)

(式8)

(式9) 

(式10)。

7.一种绝缘膜，其特征在于，是通过权利要求1所述的绝缘膜的形成方法而形成的绝缘膜，在所述绝缘膜中至少含有无定形碳。

8.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件含有通过权利要求1所述的绝缘膜的形成方法而形成的绝缘膜，所述绝缘膜含有无定形碳，并且，所述无定形碳同时具有sp2结构和sp3结构。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘膜包含至少两层绝缘层，所述至少两层绝缘层是由不同比例的多种具有有机硅石结构的原料形成的。

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件含有权利要求7所述的绝缘膜，所述绝缘膜所含有的无定形碳同时具有sp2结构和sp3结构。

11.一种绝缘膜，其特征在于，是通过权利要求2所述的绝缘膜的形成方法而形成的绝缘膜，在所述绝缘膜中至少含有无定形碳。

12.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件含有通过权利要求2所述的绝缘膜的形成方法而形成的绝缘膜，所述绝缘膜含有无定形碳，并且，所述无定形碳同时具有sp2结构和sp3结构。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘膜包含至少两层绝缘层，所述至少两层绝缘层是由不同比例的多种具有有机硅石结构的原料形成的。

14.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件含有权利要求11 所述的绝缘膜，所述绝缘膜所含有的无定形碳同时具有sp2结构和sp3结构。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘膜包含至少两层绝缘层，所述至少两层绝缘层是由不同比例的多种具有有机硅石结构的原料形成的。