[发明专利]CoCrPt系溅射靶及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种含有钴、铬、陶瓷和铂的CoCrPt系溅射靶及其制 造方法。

背景技术

一直以来，垂直磁记录介质通常使用能够赋予高矫顽力以及介质 低噪音性的磁记录膜，该磁记录膜是在由钴-铬-铂组成的合金中分 散氧化物而成的。通过在钴-铬-铂组成的合金上，使用含有氧化物 的CoCrPt系溅射靶，进行溅射而制造该磁记录膜。

近几年，由于需要一种使矫顽力更进一步提高并且减少介质噪音 的磁记录膜，因此正在开展对构成磁记录膜的晶体粒子进行更加微细 化的同时并使氧化物等非磁性相分散的研究。

其中，专利文件1公开了一种制造CoCrPt系溅射靶的方法，该方 法可利用急冷凝固法制造由铬和铂等金属元素与钴的合金所组成的合 金粉末之后，将对其与陶瓷粉末进行机械合金化而制造复合粉末，然 后通过热压来制造CoCrPt系溅射靶。根据该方法，能够制造具有对合 金相和陶瓷相进行均匀分散的晶体组织的靶，对该靶进行溅射所获得 的磁记录膜具有各种优良特性。

可是，在所述CoCrPt系溅射靶内，存在不均匀的以高浓度含有铬 原子的高铬含量粒子即富铬相。若在靶内存在此类高铬含量粒子，则 在溅射中其大多数的粒子容易从靶表面(被溅射的面)脱落，脱落后 的粒子就成为引起电弧放电的原因。而且通过脱落也会产生结节。并 且，不但脱落后的高铬含量粒子被直接进行溅射而有可能获得缺乏均 匀的铬浓度的磁记录膜，而且脱落后的高铬含量粒子发生飞散从而使 溅射靶的组成比与所得磁记录膜的组成比之间产生差距，进而有可能 使磁记录膜的特性发生变化。

另一方面，当制造含有铂的CoCrPt系溅射靶时，由于铂本身是高 价的贵金属，因此希望其制造方法的成品率要高。

可是，专利文件1的制造方法不能充分提高铂的成品率。 专利文件1：日本专利第3816595号

发明内容

发明所要解决的课题

有必要制成进一步减少了在靶内不均匀存在的以高浓度含有铬原 子的高铬含量粒子即富铬相的、均匀性更高的CoCrPt系溅射靶，否则 难以防止因这些高铬含量粒子引起的溅射时的结节和电弧放电的产 生。直到现在都没有对关于高铬含量粒子的存在和减少进行充分的研 究。

因而，本发明的课题在于提供一种CoCrPt系溅射靶，即在含有钴、 铬、陶瓷和铂的CoCrPt系溅射靶中，通过减少在该CoCrPt系溅射靶 内不均匀存在的、以高浓度含有铬原子的高铬含量粒子的尺寸和产生 数量，从而提高靶的均匀性且抑制结节或电弧放电的产生，并且具有 所需组成比的CoCrPt系溅射靶。

而且，本发明的课题还在于，提供一种不但能够制造所述靶，而 且能够提高铂成品率的CoCrPt系溅射靶的制造方法。

用于解决课题的手段

本发明的CoCrPt系溅射靶的特征在于，含有钴、铬、陶瓷和铂， 并且在该溅射靶内不均匀存在的、以高浓度含有铬原子的高铬含量粒 子的最大外径为40μm以下。

另外，本发明的CoCrPt系溅射靶优选为，利用分析扫描电子显微 镜对该溅射靶表面进行测量时，在0.6×0.5mm²的视野内，具有15μm 以上外径的高铬含量粒子为20个以下。

本发明的CoCrPt系溅射靶的制造方法有第一方法和第二方法的两 种方法。

本发明的CoCrPt系溅射靶制造方法中的第一方法的特征在于，包 括：通过对含有钴和铬的合金进行雾化之后粉碎，获得粉末(1)的A 工序；通过对钴和陶瓷进行机械合金化，从而获得粉末(2)的B工序； 对粉末(1)和粉末(2)以及铂进行混合，获得粉末(3)的C工序； 以及对粉末(3)进行烧成的D工序。

所述C工序，也可以是对粉末(1)和粉末(2)和铂以及钴进行 混合，获得粉末(3)的工序。

另外，所述D工序也可以是通过加压烧结而对粉末(3)进行烧成 的工序。

并且，在所述C工序和D工序之间，也可以包括对粉末(3)进行 整粒的E工序。

作为所述A工序中的粉末(1)，也可以使用麦奇克粒径(microtrac particle diameter)(D₉₀)为50μm以下的含铬粉末。