[发明专利]用于利用埋置型硅碳进行NMOSFET性能增强的超镶嵌技术和凸起型STI结构

权利要求书

1.一种用于形成具有增强电子迁移率的晶体管的方法，所述方 法包括以下步骤：

形成从硅衬底延伸并延伸进入硅衬底的凸起型隔离结构；

在沟道区域之上形成栅极结构；

与所述沟道区域相邻形成源极区域/漏极区域；

在所述栅极结构和所述沟道区域其中至少之一与所述隔离结构 之间外延生长代位碳浓度高于一个原子百分比的Si∶C；

将所述Si∶C平坦化到所述栅极结构；以及

将所述Si∶C刻蚀到所述凸起型隔离结构的表面或该表面以下。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括使所述Si∶C凹陷到 所述凸起型隔离结构的表面以下的步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述栅极区域之 上形成受应力的覆盖结构的步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括形成包含埋置型 SiGe结构的场效应晶体管的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述栅极结构上 形成盖的步骤，以及其中所述平坦化步骤包括抛光至所述盖结构。