[发明专利]非水电解质二次电池用负极有效

专利信息
申请号: 200780028346.0 申请日: 2007-10-09
公开(公告)号: CN101496199A 公开(公告)日: 2009-07-29
发明(设计)人: 涩谷聪;武泽秀治;本田和义;佐藤俊忠 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01M4/02 分类号: H01M4/02;H01M4/70;H01M4/48
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 段承恩;田 欣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 水电 二次 电池 负极
【权利要求书】:

1.一种非水电解质二次电池用负极,具有

集电体、

以及在所述集电体表面空出间隔而形成的多个活性物质体,

各活性物质体含有吸藏和释放锂的材料,

在所述各活性物质体侧面的一部分上形成有多个突起,

所述多个突起的宽为0.5~5μm,且高为0.5~5μm。

2.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池用负极,所述多个突起的至少一部分配置在各活性物质体的侧面中与相邻的活性物质体相对的部分。

3.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池用负极,所述各活性物质体的生长方向相对于所述集电体的表面倾斜。

4.根据权利要求3所述的非水电解质二次电池用负极,所述各活性物质体,在放电时相对于所述集电体的表面倾斜,所述多个突起形成于所述各活性物质体的上侧的侧面。

5.根据权利要求3所述的非水电解质二次电池用负极,所述各活性物质体具有生长方向不同的多个部分。

6.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池用负极,所述各活性物质体中所含有的吸藏和释放锂的材料是硅氧化物SiOx,所述硅氧化物的氧含量相对于硅含量的摩尔比的平均值xAVE大于0且小于2。

7.根据权利要求6所述的非水电解质二次电池用负极,

所述多个突起含有硅氧化物SiOy

所述多个突起中的氧含量相对于硅含量的摩尔比y,大于所述各活性物质体的氧含量相对于硅含量的摩尔比的平均值xAVE

8.根据权利要求6所述的非水电解质二次电池用负极,所述多个突起含有硅氧化物SiOy,所述多个突起中的氧含量相对于硅含量的摩尔比y为1.5~2。

9.根据权利要求6所述的非水电解质二次电池用负极,所述各活性物质体的氧含量相对于硅含量的摩尔比的平均值xAVE为0.1~0.6。

10.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池用负极,在所述集电体的表面形成有多个凸部,各活性物质体配置于相对应的凸部上。

11.一种非水电解质二次电池,其包含:

能够吸藏和释放锂离子的正极;

权利要求1~7的任一项所述的非水电解质二次电池用负极;

配置于所述正极与所述非水电解质二次电池用负极之间的隔膜;和

具有锂离子传导性的电解质。

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