[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：

含有n型杂质，由碳化硅或氮化物半导体形成的半导体基板；

配置在所述半导体基板主面上的n型半导体层；

配置在所述n型半导体层上的活性层；

配置在所述活性层上的p型半导体层；

与所述p型半导体层接触的p电极；和

与所述半导体基板的所述主面相反侧的面接触的n电极，

所述n电极包含：第一n电极，实质覆盖所述半导体基板的所述主面 相反侧的整个面；和第二n电极，配置在所述第一n电极上，使所述第一 n电极的周边部中的至少一部分露出。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

包含所述n型半导体层、所述活性层、所述p型半导体层的叠层构造 的侧面中的一部分，形成共振器端面，

所述第二n电极被配置成使所述第一n电极周边部中的沿所述共振器 端面的部分露出。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述第一n电极由延展性低于所述第二n电极的材料组成。

4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述第一n电极由选自钛(Ti)、白金(Pt)、钼(Mo)和镍(Ni) 组成的群中的至少一种金属或其合金组成，所述第二n电极由选自铝(Al)、 金(Au)、锡(Sn)、铟(In)和镍(Ni)组成的群中的至少一种金属或 其合金组成。

5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述半导体基板由氮化镓组成。

6.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具备：

在由碳化硅或氮化物半导体组成的半导体基板的主面上，依次形成n 型半导体层、活性层和p型半导体层的工序(a)；

在所述p型半导体层上形成与所述p型半导体层接触的p电极的工序 (b)；

形成实质覆盖所述半导体基板的所述主面相反侧的整个面的第一n电 极的工序(c)；

在所述第一n电极上形成第二n电极的工序(d)；和

在所述工序(d)之后，沿劈开方向劈开所述半导体基板、所述n型 半导体层、所述活性层和所述p型半导体层，分割所述第一n电极的工序 (e)，

在所述工序(d)中，按照使所述第一n电极中的沿所述劈开方向的 部分露出的方式，形成所述第二n电极。

7.根据权利要求6所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

在所述工序(d)中，按照使所述第一n电极呈格子状露出的方式， 形成所述第二n电极。

8.根据权利要求6所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

所述第一n电极材料的延展性比所述第二n电极低。

9.根据权利要求6所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

所述第一n电极由选自钛(Ti)、白金(Pt)、钼(Mo)和镍(Ni) 组成的群中的至少一种金属或其合金组成，所述第二n电极由选自铝(Al)、 金(Au)、锡(Sn)、铟(In)和镍(Ni)组成的群中的至少一种金属或 其合金组成。

10.根据权利要求6所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

所述半导体基板由氮化镓组成。