[发明专利]光刻系统、热消散方法和框架

权利要求书

1.一种用于将图像或图案投射到晶片之类的靶上的光刻系统，其 中，因图像或图案的投射而累积在靶上的能量被从所述靶上移 除，以致由所述靶的局部和/或整体加热引起的膨胀被限制在 相应的预定值，并且

其中这样的热移除是通过利用在一种与所述靶热接触的 吸热材料中的相变来实现，

并且其中所述吸热材料包括在与所述靶接触的圆形框架 结构中，所述框架设置有提供平坦参考面的底部封闭盘。

2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述材料是与具有相对较 高传热系数的其他材料结合使用。

3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述材料被混合在一种乳 状液中，该乳状液含有一种具有较高传热系数的材料。

4.根据前一项权利要求所述的系统，其中，所述乳状液包括硅和 金属颗粒中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的系统，其中，所述材料粘附于所述靶的 底面。

6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述材料的接触面充分大 于所述靶的待加工的表面。

7.根据权利要求1所述的系统，其中，所述材料借助于表面增大 的物体进行所述热接触。

8.根据前一项权利要求所述的系统，其中，所述物体是内部多孔 的物体。

9.根据前一项权利要求所述的系统，其中，所述物体是被封闭的。

10.根据权利要求1所述的系统，其中，所述材料在相应于所述光 刻系统的操作温度的温度下发生相变。

11.根据权利要求10所述的系统，其中，所述操作温度为室温。

12.根据权利要求7所述的系统，其中，所述物体具有用于支持待 加工的所述靶的多个凸起。

13.根据权利要求12所述的系统，其中，所述凸起与所述物体的 至少部分是一体的。

14.根据权利要求13所述的系统，其中，为了加工将要支持在所 述凸起上的靶，在所述凸起之间设置有一种相保持的流体或糊 状物。

15.根据权利要求1所述的系统，其中，采用大量的凸起支持所述 靶。

16.根据权利要求15所述的系统，其中，所述凸起被设置成毛发 状元件。

17.根据权利要求16所述的系统，其中，所述元件是柔性的。

18.根据权利要求16所述的系统，其中，所述元件具有可消耗的 特性。

19.根据权利要求17所述的系统，其中，所述元件是有弹性的。

20.根据权利要求15所述的系统，其中，从俯视图上看，由凸起 构成的表面积的百分比在1％至5％的范围。

21.根据权利要求15所述的系统，其中，从俯视图上看，由凸起 构成的表面积的百分比为1％。

22.根据权利要求1所述的系统，其中，导热材料被施加作为产生 静电夹持力的手段。

23.根据权利要求22所述的系统，其中，所述导热材料被施加是 以用于支持所述靶的凸起的形式。

24.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，借助一个静电夹将 待加工的靶吸附至一个吸热材料载体，其中所述静电夹包括在 与所述物体相结合的带有凸起的面相反的框架面上。

25.在根据权利要求1-24中任一项所述的光刻系统中用于承载晶 片的晶片材料的框架，包括两个彼此连接的晶片样元件，其中 的至少一个设有包含吸热材料的多个孔，另一个元件封闭这些 孔。

26.根据权利要求25所述的框架，其中，所述框架的上面，即带 有凸起的面设有导热的电绝缘层。

27.根据权利要求26所述的框架，其中，所述电绝缘层是X微米 的氮化铝和氧化铍。

28.用于稳定一个光刻系统中的靶温度的方法，通过利用在与所述 靶热接触的另一材料中的相变，从所述靶中移除热，并且其中 所述另一材料包括在与所述靶接触的圆形框架结构中，所述框 架设置有提供平坦参考面的底部封闭盘。