[发明专利]用于制造经分级的高纯度多晶硅碎片的方法和装置有效
申请号: | 200780028542.8 | 申请日: | 2007-07-13 |
公开(公告)号: | CN101495682A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | M·谢弗;R·佩赫;H·沃赫纳 | 申请(专利权)人: | 瓦克化学股份公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C01B33/037;C01B33/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 过晓东 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 分级 纯度 多晶 碎片 方法 装置 | ||
1.用于制造经分级的高纯度多晶硅碎片的方法,其中利用包括粉碎 工具和筛分装置的装置对来自西门子法的多晶硅进行粉碎和分级,并利 用清洁浴清洁由此获得的多晶硅碎片,其特征在于,所述粉碎工具和所 述筛分装置与多晶硅接触的表面主要由合金含量少于5重量%的低合金 钢制成,所述低合金钢仅以杂质颗粒污染多晶硅碎片,随后通过清洁浴 针对性地去除该杂质颗粒。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所有用于破碎、传输/ 运输和分级多晶硅的装置与多晶硅接触的表面主要由合金含量少于5重 量%的低合金钢制成,所述低合金钢在后续清洁经分级的多晶硅碎片的 过程中简单且完全地从该经分级的多晶硅碎片去除。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述清洁浴包括
在至少一个阶段中使用含有化合物氢氟酸、盐酸和过氧化氢的氧化 清洁液进行预清洁,
在另一个阶段中使用含有硝酸和氢氟酸的清洁液进行主清洁,及
通过使用氧化清洁液的另一个阶段对多晶硅碎片实施亲水化。
4.用于实施如权利要求1至3之一所述的方法的装置,其包括用于 破碎、传输、分级和清洁多晶硅的装置部件,其中所有用于破碎、传输 和分级多晶硅的装置部件与多晶硅接触的表面主要由可在后续清洁经分 级的多晶硅碎片的过程中简单且完全地除去的合金含量少于5重量%的 低合金钢制成。
5.如权利要求4所述的装置,其特征在于,其包括用于将多晶硅粗 碎片送入破碎设备的装置、破碎设备、从破碎设备至分级设备的传输装 置以及用于分级多晶硅碎片的分级设备。
6.如权利要求5所述的装置,其特征在于,所述破碎设备包括辊式 破碎机或颚式破碎机。
7.如权利要求5或6所述的装置,其特征在于,所述分级设备包括 多级机械筛分设备和多级光电分离设备。
8.如权利要求5或6所述的装置,其特征在于,其包括预粉碎机。
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