[发明专利]等离子体显示面板及其制造方法有效
申请号: | 200780028644.X | 申请日: | 2007-05-31 |
公开(公告)号: | CN101496126A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 福井裕介;寺内正治;辻田卓司 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01J11/02 | 分类号: | H01J11/02;H01J17/16;C01F5/08;C30B29/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 臧霁晨;李家麟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及等离子体显示面板及其制造方法,特别是涉及用改良的保护层覆盖电介质层的等离子体显示面板及其制造方法。
背景技术
等离子体显示面板(以下简称PDP)是利用来自气体放电的辐射的平面显示装置。容易实现高速显示和大型化,在图像显示装置和宣传显示装置等领域得到广泛应用。PDP包含有直流型(DC型)和交流型(AC型),而面放电型AC型PDP在寿命特性和大型化方面具有特别高的技术优势,已经实现商品化。
图10是作为一般的AC型PDP的放电单位的放电单元的结构的示意图。该图10所示的PDP1x是将前面板2和后面板9贴合形成的。前面板2是跨越多对将扫描电极5和维持电极4作为一对的显示电极对6地配设在前面板玻璃3的一个面上,覆盖着该显示电极对6依序叠层电介质层7和保护层8形成的。扫描电极5、维持电极4是分别将透明电极51、41和总线52、42叠层构成的。
电介质层7由玻璃软化点为约550℃~600℃范围的低熔点玻璃形成,具有AC型PDP特有的电流限制功能。
表面层8具有保护上述电介质层7和显示电极对6使其不受等离子体放电的离子的轰击,同时高效率发射二次电子,使放电开始低压降低的作用。通常该表面层8使用二次电子发射特性、耐溅射性、光学透明性优异的氧化镁(MgO),用真空蒸镀方法(专利文献1、2)或印刷方法(专利文献3)形成厚度0.5微米~1微米左右的膜。还有,与表面层8相同的结构,除了保护电介质层7和显示电极对6外,也作为以确保二次电子发射特性为目的的保护层设置。
另一方面,后面板9是在后面板玻璃10上并设写入图像数据用的多个数据(地址)电极11,而且使其与所述前面板2的显示电极对6在正交方向上交叉。在后面板玻璃10上,以覆盖着数据电极11的方式配设低熔点玻璃构成的电介质层12。在电介质层12中与相邻的放电单元(图示省略)的边界上,将“井”字形桁架等图案部1231、1232组合,形成由低熔点玻璃构成的规定高度的隔板(凸棱)13,以划分放电空间15。电介质层12表面与隔板13的侧面上,形成涂布和烧结R、G、B各色荧光体墨水形成的荧光体层14(荧光体层14R、14G、14B)。
前面板2和后面板9配置为使显示电极对6与数据电极11隔着放电空间15相互垂直,其各周围被密封。这时在内部密封的放电空间15封入约数十kPa的压力的作为放电气体的Xe-Ne或Xe-He等稀有气体。以上构成PDP1x。
为了用PDP进行图像显示,采用将一帧图像分割为多个子场(S.F.)的灰度表现方式(例如场内时分割显示方式)。
但是,近年来,电气化产品希望以低功率驱动,对于PDP也有同样的要求。在高精细度的PDP中,放电单元微细化,放电单元数目也增加,因此为了提高写入放电的可靠性就发生了工作电压变高的问题。
在这里,在已有的PDP中,存在如下所述几个问题。
第1个问题是,对显示电极施加脉冲时,从脉冲上升到放电开始的“放电延迟”明显化的问题。在包括PDP的近年来的显示器领域中,有像素高精细化,扫描线数增加的趋向。例如全高清晰度电视机的情况下,与已有的NTSC制式的TV相比,扫描线的数目为其两倍以上。如果这样实现PDP的高精细化,则伴随着的是高速驱动的要求。为了高速驱动,需要使在写入期间施加的数据脉冲的脉冲宽度减小。因此,一旦将数据脉冲减小,在脉冲宽度内结束放电的概略减小,放电延迟的问题变大。因此,发生本来应该点亮的单元不能写入,存在产生不点亮的单元的欠缺。
第2个问题是,放电气体中的Xe气体的浓度一旦高浓度化,放电延迟对温度的依赖性变得更大的问题。也就是说,在大量使用Xe气体的情况下,特别实在低温区,对温度的依赖性变得更大,放电延迟的发生更加显著。这个问题实际上在PDP驱动的初期等是重要的问题。
第3个问题是,随着上述放电气体中Xe气体的高浓度化,也有放电延迟对维持脉冲数的依赖性(放电延迟对空间电荷的依赖性)增大的 问题。这是在脉冲数目少的情况下放电延迟的发生率增大的问题,例如子场中的维持脉冲数如果比较少,则放电延迟频繁发生。
作为这些问题的对策,使氧化镁保护层的结晶结构改变,或者在氧化镁中添加铁、铬及钒或是硅、铝,可以谋求氧化镁的改良。
又,在专利文献5,公开了在电介质层上,或在用真空蒸镀方法或溅射成膜法成膜的氧化镁膜上,用气相方法形成可望对放电延迟有改善效果的氧化镁保护层,或将用气相法制作的氧化镁粉末涂布在电介质层上的结构。
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