[发明专利]制造电子电路部件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及新颖的制造电子电路部件的方法，该方法用于制造电子电路部件，诸如有机电子器件或布线衬底，其中通过200℃以下的低温工艺在绝缘层上形成用作电极的导电层、导体回路等。

背景技术

近年来，为了将使用柔性衬底(如塑料衬底)的柔性显示器(如所谓的电子纸等)付诸实际使用，对于在上述显示器上形成的作为分别激活显示器像素的电子器件的场效应晶体管(FET)和薄膜晶体管(TFT)，人们已经对通过在尽可能低的温度下形成这类器件的工艺进行了研究和开发，以防止上述塑料衬底等的劣化。其中，已经提出还可使用低温多晶硅TFT工艺，该工艺目前除柔性显示器外已经在有机电子器件中大量使用。

然而，即使当使用上述工艺时，为了制造具有实用水平品质的TFT，需要至少250℃的工艺温度，柔性衬底需要具有耐受上述工艺温度的高耐热性。因此，当通过上述低温多晶硅TFT工艺形成有机电子器件时，不能将廉价且具有较低软化温度的通用塑料衬底，例如聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸二乙醇酯(PET)等用作柔性衬底。这会引起柔性显示器成本的增加而影响实际使用。

于是，已经关注有机TFT，该有机TFT更简单、具有高加工性能和生产率，而且可在低温下形成，并且在上述通用塑料衬底上形成的可能性高，因为它们不需要使用真空设备的工艺(真空沉积工艺、溅射工艺)并能够仅通过涂覆或印刷工艺形成，上述真空设备经常用于普通的TFT工艺，诸如上述低温多晶硅TFT工艺。图1是显示有机TFT例子的层构造的截面视图。参考图1，该例子的有机TFT 1包括在衬底2(如柔性衬底)上形成的栅极3，覆盖上述栅极3的绝缘层4，在上述绝缘层4上相互分开形成的源极5和漏极6，以及填充上述绝缘层4上源极5和漏极6之间区域的半导体层7。

在图1例子的有机TFT 1中，所述栅极3、源极5和漏极6通常通过将含细金属粒子的分散体(如导电糊料)印刷在衬底2或绝缘层4上，将其干燥，然后加热而形成。此外，所述绝缘层通过将含细无机粒子(如氧化硅(SiO₂)、氧化铝(Al₂O₃)或氧化钽(Ta₂O₅)或它们的前体)的分散体印刷在其上已经形成栅极3的衬底2上，将其干燥，然后加热而形成。

此外，半导体层7通常通过将含任意有机半导体材料的涂料溶液施用于其上已经形成源极5和漏极6的绝缘层4上，以填充在上述两种电极之间，将其干燥，然后按需要加热而形成。关于用于形成半导体层7的有机半导体材料，可使用的有：例如在它们的分子中含π电子共轭体系的各种低分子化合物和聚合物化合物。所述有机半导体材料的具体例子包括：例如作为低分子化合物的戊省和噻吩低聚物衍生物，以及作为高分子化合物的含五元杂环的π-共轭体系聚合物化合物，聚乙烯乙炔、聚乙炔等(专利文献1～4和非专利文献1)。

专利文献1：日本专利申请公开：日本专利3006718

专利文献2：日本专利申请公开：JP-A-8-191162

专利文献3：日本专利申请公开：JP-A-62-85467

专利文献4：日本专利申请公开：JP-T-2001-505002(在此使用的术语“JP-T”是指公开的PCT专利申请的日语译文)

非专利文献1：“Electrical properties of polyacetylene/polysiloxaneinterface”(聚乙炔/聚硅氧烷界面的电性能)，F.Ebisawa等，J.Appl.Phys.，54卷，第6期，1983年6月。

发明内容

本发明需要解决的问题

当使用各种前述有机半导体材料时，有可能形成具有实用水平品质的半导体层。然而，在当前环境下，上述常规有机TFT不会变得具有实用水平的品质，特别是当在PC、PE等通用塑料衬底上形成时。导致这种状况的原因包括：当上述绝缘层或电极在通用塑料衬底上形成时，上述塑料衬底的耐热温度限制了所述绝缘层或电极的加热温度，使得不能充分提高所述绝缘层或电极的特性。

例如，即使当在低于低温多晶硅TFT工艺的工艺温度实际下限250℃下进行加热，也的确有可能通过使用细无机粒子或其前体的分散体形成前述绝缘层。然而，考虑到形成的绝缘层具有充足的绝缘性能以及对衬底的优良粘附性，且在所述绝缘层上形成的导电层具有优良的导电性以及对上述绝缘层的优良粘附性，期望即使在上述范围内也以尽可能高的温度进行加热。