[发明专利]发光器件及照明装置

权利要求书

1.一种发光器件，其特征在于，具备：

发波长445nm～480nm的光的半导体发光元件，和

吸收从所述半导体发光元件发出的光的一部分，发出与所述光不同 波长的荧光的荧光物质，

所述荧光物质是混合下列荧光物质而得到的混合荧光物质：发出蓝 绿色光或绿色光的第一荧光物质；发光峰值波长比所述第一荧光物质 长，发出绿色光或黄绿色光的第二荧光物质；发光峰值波长比所述第二 荧光物质长，发出黄绿色光、黄色光或黄红色光中的任意一种光的第三 荧光物质；和发光峰值波长比所述第三荧光物质长，发出黄红色光或红 色光的第四荧光物质，

将从所述半导体发光元件发出的光与从所述混合荧光物质发出的 荧光进行混色。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一荧光 物质是由通式Ba_x(1-r)Si_yO_zN_(2x+4y-2z)/3:Eu_xr表示的氮氧化物结晶荧光 体，所述第二荧光物质是经铕元素激活的β-型赛隆(β-SiAlON:Eu 型)荧光体，所述第三荧光物质是经铕元素激活的α-型赛隆(α- SiAlON:Eu型)荧光体，所述第四荧光物质是由通式(Ca，Eu)AlSiN₃表示的氮化物结晶红色荧光体。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述α-型赛 隆荧光体由通式Ca_qEu_r(Si，Al)₁₂(O，N)₁₆表示，主相具有α-型 赛隆结晶构造，所述q为0.75以上1.0以下且所述r为0.03以上0.10 以下。

4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述β-型赛隆 荧光体由通式Eu_s(Si，Al)_6-s(O，N)₈表示，主相具有β-型赛隆 结晶构造，所述s为0.011以上0.019以下。

5.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，在所述由通式 Ba_x(1-r)Si_yO_zN_(2x+4y-2z)/3:Eu_xr表示的氮氧化物结晶荧光体中，所述x 为0.8以上1.2以下，所述y为1.6以上2.4以下，所述z为1.6以上2.4 以下，所述r为0.015以上0.10以下。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，由从所述半导 体发光元件发出的光与从所述混合荧光物质发出的荧光进行混色而发 出的光的色度，在CIE1931的XYZ表色系色度图上，位于由连接坐标 x＝0.4775、y＝0.4283所表示的点、坐标x＝0.4594、y＝0.3971所表示 的点、坐标x＝0.4348、y＝0.4185所表示的点和坐标x＝0.4214、y＝ 0.3887所表示的点的四边形表示的电灯色范围内。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，由从所述半导 体发光元件发出的光与从所述混合荧光物质发出的荧光进行混色而发 出的光的发光光谱中，波长380nm～475nm的发光强度、波长475nm～ 520nm的发光强度、波长520nm～560nm的发光强度、波长560nm～ 615nm的发光强度、与波长615nm～780nm的发光强度的比率为1∶1.6∶ 2.4∶4.2∶9.5。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，当将以实施了 光谱修正的荧光分光光度计测定的、所述第一荧光物质的发光峰值强度 设为A、所述第二荧光物质的发光峰值强度设为B、所述第三荧光物质 的发光峰值强度设为C、所述第四荧光物质的发光峰值强度设为D时， 所述混合荧光物质是以质量比2.5×D/A∶1.9×D/B∶1.5×D/C∶1混合所 述第一荧光物质、所述第二荧光物质、所述第三荧光物质和所述第四荧 光物质而得到的混合荧光物质。