[发明专利]四脒基金属(IV)化合物及其在气相沉积中的用途

权利要求书

1.具有如下结构式的化合物：

其中，M为+4氧化态的铪、锆或钽，且R¹到R¹²各自独立地选 自氢、烃基和被氟取代的烃基。

2.权利要求1的化合物，其中R¹到R¹²选自烷基、环烷基、烯 基、环烯基、炔基和环炔基以及它们的氟化衍生物。

3.权利要求1的化合物，其中R¹到R¹²选自甲基、乙基和正丙基。

4.权利要求1的化合物，其中M为+4氧化态的锆或铪。

5.权利要求1的化合物，其中M为+4氧化态的钽。

6.权利要求1的化合物，其中M为+4氧化态的锆。

7.权利要求1的化合物，其中M为+4氧化态的铪。

8.权利要求1的化合物，其中R¹到R¹²中至少一个为具有5个 或更少碳的低级烷基。

9.权利要求1的化合物，其中R¹到R¹²选自具有5个或更少碳 的低级烷基和氢。

10.权利要求1的化合物，其中R¹、R³、R⁴、R⁶、R⁷、R⁹、R¹⁰和R¹²是在α-位非支化的烷基。

11.一种形成包含金属的薄膜的方法，包括：

使加热的表面暴露于一种或多种权利要求1的化合物的蒸气。

12.权利要求11的方法，其中R¹到R¹²选自烷基、环烷基、烯 基、环烯基、炔基和环炔基以及它们的氟化衍生物。

13.权利要求11的方法，其中R¹到R¹²选自甲基、乙基和正丙基。

14.权利要求11的方法，其中M为+4氧化态的锆或铪。

15.权利要求11的方法，其中M为+4氧化态的钽。

16.权利要求11的方法，其中M为+4氧化态的锆。

17.权利要求11的方法，其中M为+4氧化态的铪。

18.权利要求11的方法，其中R¹到R¹²中至少一个为具有5个 或更少碳的低级烷基。

19.权利要求11的方法，其中R¹到R¹²选自具有5个或更少碳 的低级烷基和氢。

20.权利要求11的方法，其中还使衬底暴露于氧源，且该薄膜包 含金属氧化物。

21.权利要求20的方法，其中氧源为水蒸气。

22.权利要求20的方法，其中氧源为分子氧。

23.权利要求20的方法，其中氧源为臭氧。

24.权利要求11的方法，其中还使衬底暴露于氮源，且该薄膜包 含金属氮化物。

25.权利要求24的方法，其中氮源为氨。

26.权利要求11的方法，其中在CVD工艺中沉积该膜。

27.权利要求11的方法，其中在ALD工艺中沉积该膜。

28.权利要求11的方法，其中通过使固体形式的该化合物气化获 得该蒸气。

29.权利要求11的方法，其中通过使液体形式的该化合物气化获 得该蒸气。