[发明专利]半导体器件及用于制造具有改善的散热能力的半导体器件的方法无效

专利信息
申请号: 200780029970.2 申请日: 2007-08-10
公开(公告)号: CN101595557A 公开(公告)日: 2009-12-02
发明(设计)人: 周大德;张雄杰;李晛;付海;田永琦 申请(专利权)人: 威世通用半导体公司
主分类号: H01L23/28 分类号: H01L23/28;H01L23/31;H01L23/34
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 用于 制造 具有 改善 散热 能力 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,其可安装到基板,该半导体器件包括:

半导体管芯;

导电性附接区,具有第一附接表面和第二附接表面,所述第一附接表面被布置用于与所述半导体管芯电连通;

外壳,至少部分地封闭所述半导体管芯和夹层材料,所述外壳具有通过所述导电性附接区的第二附接表面而设置的凹进部;

电介质导热性夹层材料,位于所述凹进部中并且固定到所述外壳;以及

金属板,位于所述凹进部中并且固定到所述夹层材料。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述半导体器件包括功率半导体器件。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,

所述功率半导体器件包括整流器。

4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,

所述整流器包括桥式整流器。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述半导体器件包括可表面安装的器件。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述半导体器件包括可通孔安装的器件。

7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述半导体器件包括集成电路。

8.根据权利要求7所述的半导体器件,其中,

所述集成电路包括芯片级封装。

9.根据权利要求8所述的半导体器件,其中,

所述导电性附接区包括铜焊盘、焊球、引线、引线框架和引线框架端子之一。

10.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述夹层材料是导热性粘合剂。

11.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述夹层材料包括丝网印刷层。

12.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述外壳包括模塑化合物。

13.一种制造半导体器件的方法,所述半导体器件可安装到基板,所述方法包括:

布置半导体管芯以与导电性附接区的第一附接区域电连通;

将电介质导热性夹层材料施加到所述导电性附接区的第二附接区域;

将热沉固定到所述夹层材料;以及

将外壳设成至少部分地封闭所述管芯、所述夹层材料和所述热沉。

14.根据权利要求13所述的制造半导体器件的方法,其中,

所述热沉是金属板。

15.根据权利要求14所述的制造半导体器件的方法,其中,

将所述夹层材料施加到所述板以将所述板固定到所述夹层材料。

16.根据权利要求15所述的制造半导体器件的方法,其中,

在将所述夹层材料施加到所述第二附接区域之前,将所述夹层材料施加到所述板。

17.根据权利要求16所述的制造半导体器件的方法,其中,

所述夹层是将用于所述板固定到所述附接区域的粘合剂。

18.根据权利要求13所述的制造半导体器件的方法,进一步包括:

模塑所述外壳以形成所述半导体器件的外部封装。

19.根据权利要求16所述的制造半导体器件的方法,其中,

通过丝网印刷工艺来施加所述夹层材料。

20.根据权利要求13所述的制造半导体器件的方法,其中,

所述半导体器件包括可表面安装的器件。

21.根据权利要求13所述的制造半导体器件的方法,其中,

所述半导体器件包括可通孔安装的器件。

22.根据权利要求13所述的制造半导体器件的方法,其中,

所述导电性附接区包括铜焊盘、焊球、引线、引线框架和引线框架端子之一。

23.根据权利要求13所述的制造半导体器件的方法,其中,

所述半导体器件包括功率半导体器件。

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