[发明专利]使用显影溶剂制备图案化膜的方法

权利要求书

1.在基板上制备图案化膜的方法，所述方法包括下列步骤：

将有机硅组合物应用在基板上以形成有机硅组合物膜，其中所述有机 硅组合物包括：有机聚硅氧烷，其每个分子具有平均至少两个硅结合链烯 基；有机硅，其每个分子具有平均至少两个硅结合氢原子，其数量足以固 化所述组合物；和氢化硅烷化催化剂；

将所述膜的一部分暴露于辐射，以产生具有暴露区和非暴露区的部分 暴露膜；

在50℃至250℃的温度下加热所述部分暴露膜0.1至10分钟，以使所 述暴露区在包括硅氧烷成分的显影溶剂中基本上不溶，所述非暴露区在所 述显影溶剂中保持可溶；和

使用所述显影溶剂去除所述部分暴露膜的所述非暴露区，以在所述基 板上呈现无膜区，并形成包括保留在所述基板上的所述暴露区的所述图案 化膜，由于所述显影溶剂中存在所述硅氧烷成分，所述无膜区由于所述显 影溶剂而基本上不含残留有机硅，其中所述硅氧烷成分具有从162至8000 g/mol的数均分子量并包括具有下式的硅氧烷：

其中，R₁-R₈独立选自氢、链烯基、烷基、苯基和它们的组合，并且 n是0至100。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅氧烷成分包括六甲基二 硅氧烷。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述硅氧烷成分进一步包括八 甲基三硅氧烷和十甲基四硅氧烷中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述六甲基二硅氧烷的存在量 是，基于存在于所述显影溶剂中的所述硅氧烷成分的总体积为按体积计 至少50％。

5.根据权利要求3或4任一项所述的方法，其中所述六甲基二硅氧 烷在所述显影溶剂中的存在量是，基于所述显影溶剂的总体积为按体积 计至少50％。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述硅氧烷成分进一步包括环 状硅氧烷。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述辐射具有150nm至450nm 的波长。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括预烘所述基板上的所 述有机硅组合物膜的步骤。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在120℃至300℃的温 度下加热所述图案化膜1至300分钟以固化所述图案化膜中的所述暴露 区的步骤。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括用等离子体蚀刻所述 图案化膜的步骤。

11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使用包括所述硅氧烷 成分的所述显影溶剂，从所述基板去除所述有机硅组合物的边缘球状物 的步骤。