[发明专利]氧化锌系半导体晶体的制造方法

权利要求书

1.一种氧化锌系半导体晶体的制造方法，包括至少使锌和氧到达 基板表面，在该基板上生长氧化锌系半导体晶体的步骤，其特征在于，

以单原子状供给用于生长所述氧化锌系半导体晶体的锌，

在1×10^-4Torr以下的真空气氛中，将所述锌的一部分或全部离子 化，并通过施加电压赋予加速能，使所述锌到达所述基板表面，

将用于生长所述氧化锌系半导体晶体的氧的一部分或全部自由基 化，使其到达所述基板表面，

通过在800～1200℃的晶体生长温度范围内进行所述氧化锌系半导 体晶体的生长，来生长氧化锌系半导体晶体。

2.根据权利要求1所述的氧化锌系半导体晶体的制造方法，其特 征在于，

所述氧化锌系半导体晶体是无掺杂氧化锌半导体晶体。

3.根据权利要求1所述的氧化锌系半导体晶体的制造方法，其特 征在于，

所述氧化锌系半导体晶体至少包含1个以上从由镁、镉、硫磺、硒、 碲构成的组中选择的用于带隙控制的元素。

4.根据权利要求1所述的氧化锌系半导体晶体的制造方法，其特 征在于，

所述氧化锌系半导体晶体包含至少1个以上从由硼、铝、镓、铟、 氮、磷、砷、氢、锂、钠、钾构成的组中选择的用于传导性控制的元素。

5.根据权利要求1所述的氧化锌系半导体晶体的制造方法，其特 征在于，

所述氧化锌系半导体晶体至少包含1个以上从由镁、镉、硫磺、硒、 碲构成的组中选择的用于带隙控制的元素，并且包含至少1个以上从由 硼、铝、镓、铟、氮、磷、砷、氢、锂、钠、钾构成的组中选择的用于 传导性控制的元素。