[发明专利]多功能无源混频器有效

专利信息
申请号: 200780030700.3 申请日: 2007-06-26
公开(公告)号: CN101507102A 公开(公告)日: 2009-08-12
发明(设计)人: R·韦伊塞宁 申请(专利权)人: 诺基亚公司
主分类号: H03D7/12 分类号: H03D7/12;H03D7/14;H03G3/00;H02M5/32
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;张静美
地址: 芬兰*** 国省代码: 芬兰;FI
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摘要:
搜索关键词: 多功能 无源 混频器
【权利要求书】:

1.一种混频装置,其包括:

用于本地振荡信号的第一输入端口,所述本地振荡信号具有适于将 所述装置的输入信号混合到期望频率的频率;

用于待混频的输入信号的第二输入端口;

第一电容,其在操作上串联耦合于所述第二输入端口与所述装置的 输出端口之间;

第一开关,其在操作上耦合于所述第一电容与接地端之间;

第二开关,其在操作上串联耦合于所述第一电容;以及

第二电容,其在操作上耦合于所述第二开关与所述接地端之间,

其中,所述第一开关和所述第二开关被配置以便交替地关闭和打 开,作为对所述振荡信号的电压电平上的变化的响应。

2.根据权利要求1的装置,其中,所述本地振荡信号是第一本地振 荡信号,所述装置进一步包括用于第二本地振荡信号的输入端口,所述 第二本地振荡信号与所述第一本地振荡信号具有相同的频率和实质上相 反的相位,并且其中,所述第一开关被配置以便关闭和打开,作为对所 述第一本地振荡信号的响应,并且所述第二开关被配置以便关闭和打 开,作为对所述第二本地振荡信号的响应。

3.根据权利要求2的装置,其中,所述第一开关和所述第二开关由 NMOS晶体管实现。

4.根据权利要求2至3中任何一项的装置,其中,所述装置被配置 以便通过以下操作还起到电压倍增器的作用:调适第一本地振荡信号, 以便在所述第一本地振荡信号的第一半周期期间关闭所述第一开关,并 且相应地对所述第一电容进行充电;以及调适第二本地振荡信号,以便 在所述第二本地振荡信号的第二半周期期间关闭所述第二开关,并且相 应地将所述第一电容中的电荷连同所述输入信号一起释放给所述第二电 容。

5.根据权利要求1至3中任何一项的装置,其中,所述装置还起到 低通滤波器的作用,所述低通滤波器具有由所述第一电容和所述第二电 容的比值定义的拐角频率。

6.根据权利要求1至3中任何一项的装置,其中,所述装置的输出 端口被连接在所述第二开关与所述第二电容之间。

7.根据权利要求1至3中任何一项的装置,其中,所述装置被配置 以便将射频输入信号转换到基带或中频。

8.根据权利要求1至3中任何一项的装置,其中,所述第一开关和 所述第二开关中的一个由NMOS晶体管实现,而另一个由PMOS晶体管 实现。

9.根据权利要求1至3中任何一项的装置,其中,利用具有相互连 接的栅极和源极的两个晶体管来实现所述第一开关,并且所述晶体管中 至少一个的漏极被连接至所述第一电容。

10.根据权利要求9的装置,其中,直流电压源被连接至这些晶体管 的基底。

11.一种混频装置,其包括:

用于本地振荡信号的第一输入端口,所述本地振荡信号具有适于将 所述装置的输入信号混合到期望频率的频率;

用于待混频的输入信号的平衡输入端口,所述平衡输入端口包括第 一和第二输入;

用于被混频的输出信号的平衡输出端口,所述平衡输出端口包括第 一和第二输出;

第一电容,其在操作上串联耦合于所述平衡输入端口的第一输入与 所述平衡输出端口的第一输出之间;

第二电容,其在操作上串联耦合于所述平衡输入端口的第二输入与 所述平衡输出端口的第二输出之间;

第一开关,其在操作上耦合于所述第一电容与所述第二电容之间;

第二开关,其在操作上串联耦合于所述第一电容;

第三开关,其在操作上串联耦合于所述第二电容;以及

第三电容,其在操作上耦合于所述第二开关与所述第三开关之间,

其中,所述第一开关被配置以便与所述第二开关和所述第三开关交 替地关闭和打开,作为对所述振荡信号的电压电平上的变化的响应。

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