[发明专利]RF场中使用的进行RF消融的介入装置有效

专利信息
申请号: 200780030819.0 申请日: 2007-08-20
公开(公告)号: CN101505672A 公开(公告)日: 2009-08-12
发明(设计)人: S·魏斯;B·格莱希 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: A61B18/14 分类号: A61B18/14;A61B5/055;G01R33/28;A61B5/06;A61B19/00;A61B5/042
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王 英
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: rf 使用 进行 消融 介入 装置
【权利要求书】:

1.一种在RF电场和/或磁场中使用的进行RF消融的介入装置,包括:

-消融导管或探头(10),其具有用于递送RF消融功率的消融电极(101)和用于接收MR信号和/或传输RF信号的MR/RF微线圈(102),以及

-与所述消融导管或探头(10)连接的传输路径(103),其特征在于:

-所述传输路径(103)包括至少两个线段(104′,104″),所述线段借助于至少一个具有高通滤波器特性的耦合元件(105)进行电耦合,使得

-由所述传输路径(103)所暴露于的具有第一频率的RF电场和/或磁场在所述传输路径(103)中所感应的共模电流至少基本上被阻止,

-具有预先确定的第二RF频率的RF消融功率至少基本上被,或者以期望对组织进行的消融所必须的程度被以共模电流的形式在所述传输路径(103)上传输,其中,所述第二RF频率高于所述第一频率,以及

-将由所述MR/RF微线圈(102)所接收和/或传输的MR信号和/或RF信号以差模电流的形式在所述传输路径(103)上传送。

2.根据权利要求1所述的介入装置,其中,所述耦合元件是变压器(105),所述高通滤波器特性通过所述变压器的杂散电容来实现。

3.根据权利要求2所述的介入装置,其中,所述变压器(105)以PCB技术实现在以彼此重叠进行电感耦合的第一导电回路(1054)和第二导电回路(1055)的形式的衬底(1053)上。

4.根据权利要求1所述的介入装置,其中,所述MR/RF微线圈(102)被设置成用于接收MR信号和/或传输RF信号,用于在由MR成像系统所生成的MR图像中对所述消融导管或探头(10)进行跟踪、引导和/或可视化,所述跟踪和/或可视化是借助于主动和/或被动方法来进行的,同时RF消融功率借助于所述消融电极(101)来递送。 

5.根据权利要求1所述的介入装置,包括MR/RF接收器和/或发射器(108),所述MR/RF接收器和/或发射器与所述传输路径(103)连接用于接收由所述MR/RF微线圈(102)探测到的MR信号和/或用于生成要由所述MR/RF微线圈(102)传输的RF信号。

6.根据权利要求5所述的介入装置,包括RF放大器(107),其用于在200MHz或以上的所述第二RF频率下生成所述RF消融功率,所述RF放大器(107)与所述传输路径(103)连接。

7.根据权利要求6所述的介入装置,包括连接单元(106),其用于将所述MR/RF接收器和/或发射器(108)以及所述RF放大器(107)与所述传输路径(103)进行连接,并且用于将所述MR/RF接收器和/或发射器(108)与由所述RF放大器(107)所生成的所述RF消融功率隔离开。

8.一种MR成像系统,包括根据权利要求1至7中任意一项所述的介入装置。 

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