[发明专利]表面检查方法与装置无效
申请号: | 200780030837.9 | 申请日: | 2007-12-04 |
公开(公告)号: | CN101506962A | 公开(公告)日: | 2009-08-12 |
发明(设计)人: | 矶崎久;高濑壮宏;柿沼隆司;前川博之;幸田文男;山崎伦敬 | 申请(专利权)人: | 拓普康株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/956 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李镇江 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 检查 方法 装置 | ||
1、一种表面检查装置,包括:
光源部分,输出具有两种类型波长的光束,同时使光束的强度可变,其中两种类型的波长是短波长和长波长;
照射光学系统,使得从所述光源部分输出的具有两种类型波长的光束以预定的入射角同时或交替地入射到作为表面检查的对象的待检测体的检测表面;
扫描部分,以使得所述光束扫描所述检测表面的方式,相对移位所述光束和所述待检测体中的至少一个;
第一散射光检测光学系统,将从所述光束入射到其上的所述检测表面的入射部分输出的散射光引导到第一光强度检测部分;
第二散射光检测光学系统,将从所述光束入射到其上的所述检测表面的入射部分输出的正反射光引导到第二光强度检测部分;及
控制运算部分,基于从光源部分输出的光束的类型和来自第一光强度检测部分的输出,至少调整从光源部分输出的具有长波长的光束的强度,
其中所述控制运算部分被构造成比较在照射具有短波长的光束时来自所述第一光强度检测部分的输出和在照射具有长波长的光束时来自所述第一光强度检测部分的输出,然后,将只在照射具有长波长的光束时出现在所述第一光强度检测部分的输出中的信号识别为来自内部对象物的检测信号,并进一步调整具有长波长的光束的强度,然后计算来自内部对象物的检测信号消失的点附近的消失水平,进一步将具有长波长的光束的第一强度设置成高于该消失水平的水平,并基于由第一强度的具有长波长的光束所获得的来自第一光强度检测部分的输出来测量待检测体内部的对象物。
2、如权利要求1所述的表面检查装置,其中
待检测体具有从表面起依次包括表面层、中间层和下层的多层结构,其中待检测对象物主要位于每一层的边界上,及
所述控制运算部分被构造成执行以下操作:
将具有长波长的光束的第一强度设置成高于消失水平的水平;
基于由第一强度的具有长波长的光束所获得的来自第一光强度检测部分的输出,测量属于待检测体内部的下层的待检测对象物;
将具有长波长的光束的第二强度设置成低于消失水平的水平;及
基于由第二强度的具有长波长的光束所获得的来自第一光强度检测部分的输出,测量属于待检测体内部的中间层的待检测对象物。
3、如权利要求1或2所述的表面检查装置,其中
所述光源部分包括将紫外光区中的光束作为短波长输出,并将可见光区中的光束作为长波长输出,及
其中,所述待检测体是薄膜SOI晶片,其中从薄膜SOI晶片的表面起依次形成有Si、SiO2和Si层成为多层结构。
4、如权利要求1或2所述的表面检查装置,其中所述光源部分被构造成将深紫外光区中的光束作为短波长输出,及
其中待检测体是晶片,且晶片上的检测对象物是晶片表面上的异物和晶片内部的包括COP或缺陷在内的异物。
5、如权利要求1或2所述的表面检查装置,其中所述光源部分被构造成同轴地输出具有两种类型波长的光束,并使得光束的强度可变,其中两种类型的波长是短波长和长波长。
6、一种表面检查方法,其中使具有两种类型波长的光束以预定的入射角入射到作为表面检查的对象的待检测体的检测表面,并检测异物,其中两种类型的波长是短波长和长波长,该方法包括以下步骤:
调整具有长波长的光束的强度,以计算来自内部对象物的检测信号消失的点附近的消失水平,
将具有长波长的光束的第一强度设置成高于该消失水平的水平,及
根据由第一强度的具有长波长的光束所获得的第一光强度的输出,测量待检测体内部的对象物。
7、一种表面检查方法,其中使具有两种类型波长的光束以预定的入射角入射到作为表面检查的对象的待检测体的检测表面,并检测异物,其中两种类型的波长是短波长和长波长,该方法包括以下步骤:
调整具有长波长的光束的强度,
从当具有长波长的光束的强度被设置成“强或高”时测量的对象物中减去当具有长波长的光束的强度被设置成“弱或低”时测量的对象物,及
将剩余对象物判定为待检测体内部的包括COP或缺陷在内的异物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造