[发明专利]光伏电池及制造该光伏电池的方法

权利要求书

1.一种用于制造光伏器件的方法，所述光伏器件具有衬底，该衬底包含掺杂有第一掺杂剂的硅，所述方法包括下列步骤：

a.在所述衬底的前表面上形成第一层，所述第一层包含导电类型与第一掺杂剂相反的第二掺杂剂；

g.在所述第一层上形成第二表面涂层；

h.形成到达或者进入所述硅衬底的狭长凹槽；

i.在所述凹槽内形成第三层，该层包含导电类型与第一掺杂剂相反的第三掺杂剂；

j.形成接触指系统，所述接触指系统与所述凹槽交叉，以提供导电的前触点；以及

k.形成第二触点。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底在步骤(a)之前被织构。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述第二表面涂层充当介电层、抗反射涂层、表面钝化剂、体钝化剂、扩散掩模和/或金属化扩散阻挡层中的一个或多个。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第二表面层通过低压化学气相沉积而施加。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第二表面层是氮化硅。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在步骤(b)之后，从所述后表面除去任何第二表面涂层。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述凹槽沿着它们的长度具有均匀的尺寸。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在步骤(c)之后，清洗所述凹槽。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在步骤(c)之后，另外对所述后表面进行抛光。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在步骤(d)之后，除去过量的所述第三层材料。

11.根据任一项前述权利要求所述的方法，其中所述接触指与所述凹槽垂直。

12.根据任一项前述权利要求所述的方法，其中所述接触指是银。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中步骤(f)包括形成背表面场。

14.根据权利要求10所述的方法，其中在所述器件的后表面上沉积铝层并将其固化。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述铝层包括接触焊盘。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述接触焊盘是银。

17.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在形成所述衬底之后，所述晶片的边缘被电子隔离。

18.根据前述权利要求中任一项所述的工艺而制造的光伏器件。

19.一种光伏器件，所述光伏器件包括：

a.形成在衬底的前表面上的第一层，所述第一层包含导电类型与第一掺杂剂相反的第二掺杂剂；

b.形成在所述第一层上的第二表面涂层；

c.形成在所述器件的前表面中的多个狭长凹槽，使得所述凹槽到达或者进入所述硅衬底；

d.形成在所述凹槽内的第三层，该层包含导电类型与第一掺杂剂相反的第三掺杂剂；

e.接触指系统，所述接触指系统与所述凹槽交叉，以提供导电的前触点；和

f.第二触点。