[发明专利]碳纳米管接触结构无效
申请号: | 200780031193.5 | 申请日: | 2007-08-21 |
公开(公告)号: | CN101652901A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | B·N·埃尔德里奇;J·K·格里特斯;I·K·汉德罗斯;R·马滕森;G·L·马蒂厄 | 申请(专利权)人: | 佛姆法克特股份有限公司 |
主分类号: | H01R12/00 | 分类号: | H01R12/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 脱 颖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 接触 结构 | ||
1.一种接触结构,该结构包括:
互连元件,该元件具有第一部分,所述第一部分构造和设置成可供搭载在 基板上并与之形成电连接;
接触元件,附在所述互连元件上;和
多个碳纳米管,所述碳纳米管与所述接触元件的表面连通用于接触半导体 器件上的垫片。
2.如权利要求1所述的接触结构,其特征在于,所述接触元件包括平版印刷 形成的尖端。
3.如权利要求2所述的接触结构,其特征在于,所述互连元件包括金属丝。
4.如权利要求2所述的接触结构,其特征在于,所述互连元件包括梁。
5.如权利要求2所述的接触结构,其特征在于,所述尖端由金属形成,所述 碳纳米管与所述尖端的表面连通。
6.如权利要求5所述的接触结构,其特征在于,所述碳纳米管嵌埋在所述尖 端中。
7.如权利要求5所述的接触结构,其特征在于,所述碳纳米管伸出所述尖端 的表面外。
8.如权利要求1所述的接触结构,其特征在于,所述接触元件由碳纳米管形 成。
9.如权利要求8所述的接触结构,其特征在于,所述接触元件还包括多个散 布在所述纳米管之间的金属结构。
10.如权利要求9所述的接触结构,其特征在于,所述金属结构是溅射的金属。
11.如权利要求8所述的接触结构,其特征在于,所述碳纳米管由金属基底支 承,所述金属基底附在所述互连元件上。
12.如权利要求1所述的接触结构,其特征在于,所述接触元件包括金属尖端, 该尖端用包含所述碳纳米管的镀敷溶液进行镀敷。
13.一种器件,采用如权利要求1所述的接触结构进行测试。
14.一种用于测试具有接触垫片的半导体器件的探针板组装件,该探针板组装 件包括:
基板;
多个搭载在所述基板上并从基板向上伸出的互连元件;
在各互连元件与所述基板中的导体之间形成的电连接;
在所述基板的表面上方与各互连元件电连接的接触元件;和
多个与各接触元件的表面连通以用于接触半导体器件上的垫片的碳纳米 管。
15.一种制造接触结构的方法,该方法包括:
在牺牲基板中界定敞开区;
在所述敞开区的表面上界定碳纳米管层;
在所述碳纳米管之上沉积金属层;和
除去所述牺牲层。
16.如权利要求15所述的方法,其特征在于,在敞开区的表面界定碳纳米管层 的步骤包括在所述敞开区中生长碳纳米管。
17.如权利要求16所述的方法,其特征在于,在敞开区中生长碳纳米管的步骤 包括在所述敞开区中沉积催化剂并在该催化剂上生长碳纳米管膜。
18.如权利要求15所述的方法,其特征在于,在敞开区的表面上界定碳纳米管 层的步骤包括在所述敞开区中沉积所述纳米管。
19.如权利要求18所述的方法,其特征在于,在敞开区中沉积所述纳米管的步 骤包括在所述敞开区中沉积碳纳米管膜。
20.一种采用权利要求15所述的方法制造的接触结构。
21.一种器件,采用如权利要求20所述的接触结构进行测试。
22.一种接触结构,该结构包括:
基底;
多个附于该基底的碳纳米管;和
多个金属结构,所述金属结构附于所述基底并散布在所述纳米管之间。
23.一种制造接触结构的方法,该方法包括:
在基底上界定图案;
在所界定的图案上生长碳纳米管膜;
在所述基底上处在所界定的图案外面之处形成多个金属结构;
在所述膜和所述结构的顶部附着金属片;和
除去该基底。
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