[发明专利]半导体装置以及多层布线基板无效
| 申请号： | 200780031365.9 | 申请日： | 2007-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101507374A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;财团法人国际科学振兴财团 |
| 主分类号： | H05K3/46 | 分类号： | H05K3/46;H01L23/12;H01L21/312;H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 多层 布线 | ||
1.一种多层布线基板，在含有半导体、导体以及绝缘体中的至少一种的基板上具有多层布线结构，
在上述多层布线结构中的第一布线层与其上面的第二布线层之间介入相对介电常数平均在2.5以下的绝缘物，在上述第一布线层中的至少一根布线与上述第二布线层中的至少一根布线之间设置导电连接体，进而在上述第一布线层的规定的布线与上述第二布线层的规定的布线之间设置相对介电常数为5以下的绝缘物热传导体。
2.根据权利要求1所述的多层布线基板，其特征在于，
在上述第一布线层与上述第二布线层之间介入绝缘物，上述绝缘物热传导体的热传导率比该绝缘物的热传导率更大。
3.根据权利要求2所述的多层布线基板，其特征在于，
上述第一布线层与上述第二布线层之间介入的绝缘物，包含含有碳和氟的材料。
4.根据权利要求2所述的多层布线基板，其特征在于，
上述第一布线层与上述第二布线层之间介入的绝缘物，包含含有碳和氢的材料。
5.根据权利要求1所述的多层布线基板，其特征在于，
上述绝缘物热传导体，包含含有硅、碳以及氮的材料。
6.根据权利要求5所述的多层布线基板，其特征在于，
上述绝缘物热传导体含有SiCN。
7.根据权利要求1、2、5、6中任意一项所述的多层布线基板，其特征在于，
在上述第一布线层和上述第二布线层之间介入的绝缘物是气体。
8.一种半导体装置，在形成了多个半导体元件的基板上具有多层布线结构，
在上述多层布线结构中的第一布线层与其上面的第二布线层之间介入相对介电常数平均在2.5以下的绝缘物，在上述第一布线层中的至少一根布线与上述第二布线层中的至少一根布线之间设置导电连接体，进而在上述第一布线层的规定的布线与上述第二布线层的规定的布线之间设置相对介电常数为5以下的绝缘物热传导体。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
在上述第一布线层与上述第二布线层之间介入绝缘物，上述绝缘物热传导体的热传导率比该绝缘物的热传导率更大。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
在上述第一布线层与上述第二布线层之间介入的绝缘物，包含含有碳和氟的材料。
11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
在上述第一布线层与上述第二布线层之间介入的绝缘物，包含含有碳和氢的材料。
12.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
上述绝缘物热传导体，包含含有硅、碳以及氮的材料。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，
上述绝缘物热传导体含有SiCN。
14.根据权利要求8、9、12、13中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
在上述第一布线层和上述第二布线层之间介入的绝缘物是气体。
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