[发明专利]制造半导体传感器装置的方法和半导体传感器装置

权利要求书

1、一种制造用于感测物质的半导体传感器装置(10)的方法，所述半导体传感器装置包括多个相互平行的台形半导体区域(1)，所述台形半导体区域(1)形成于半导体主体(11)的表面上并在第一端连接到第一导电连接区域(2)且在第二端连接到第二导电连接区域(3)，同时包括待感测的物质的流体能够在所述台形半导体区域(1)之间流动，且待感测的所述物质能够影响所述多个台形半导体区域(1)的电特性，其中在所述半导体主体(11)的表面形成第一连接区域(2)并形成第一端连接到所述第一连接区域(2)的所述多个台形半导体区域(1)，接下来形成在所述多个台形半导体区域(1)的第二端连接到所述多个台形半导体区域(1)的所述第二连接区域(3)，其特征在于在形成所述多个台形半导体区域(1)之后，用能够相对于所述多个台形半导体区域(1)和所述半导体传感器装置(10)的其他边界部分的材料选择性去除的填充材料(4)来填充这些区域(1)之间的露出空间，接下来在所得到的结构上沉积导电层(30)，由该导电层(30)形成所述第二连接区域(3)，之后以选择性方式去除所述填充材料(4)，由此使所述多个台形半导体区域(1)之间的空间再次露出。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于在沉积所述导电层(30)之前，通过选择性蚀刻去除所述填充材料(4)的上部(4A)，由此使所述多个台形半导电区域(1)的上部露出。

3、根据权利要求2所述的方法，其特征在于几乎完全去除所述填充材料(4)，并用与所述填充材料不同的另一填充材料填充所述多个台形半导体区域(1)之间的空间。

4、根据权利要求3所述的方法，其特征在于在沉积所述导电层(30)之前，通过蚀刻去除所述另一填充材料的上部，由此使所述多个台形半导体区域(1)的上部露出。

5、根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于选择绝缘材料用于所述填充材料或所述另一填充材料的材料(4)。

6、根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于将通过旋涂沉积的聚合物用于所述填充材料(4)或所述另一填充材料的材料。

7、根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于通过湿法蚀刻选择性地蚀刻所述填充材料(4)或所述另一填充材料的材料。

8、根据权利要求7所述的方法，其特征在于在蚀刻填充材料(4)或所述另一填充材料之后，在接下来的干燥步骤中减小所述多个台形半导体区域(1)之间的空间中的毛细力。

9、根据权利要求8所述的方法，其特征在于通过在所述蚀刻步骤和所述干燥步骤之间引入利用具有低表面张力的液体的冲洗步骤来减小干燥期间的毛细力。

10、根据权利要求8所述的方法，其特征在于利用超临界二氧化碳干燥来减小干燥期间的毛细力。

11、根据权利要求1到6中的任一项所述的方法，其特征在于将有机物质用于所述填充材料(4)或所述另一填充材料的材料，通过利用氧或另一反应成分的干法蚀刻选择性地去除该有机物质。

12、根据权利要求1到6中的任一项所述的方法，其特征在于将有机物质用于所述填充材料(4)或所述另一填充材料的材料，并且通过热处理以选择性方式去除所述(另一)填充材料(4)。

13、根据权利要求1所述的方法，其特征在于在形成所述多个台形半导体区域(1)之后，通过利用一层所述填充材料(4)完全掩埋所述区域(1)并随后进行化学机械抛光步骤以使所述区域(1)的上表面露出，从而用所述填充材料(4)填充这些区域(1)之间的露出空间。

14、根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于选择纳米线(1)用于所述多个台形半导体区域(1)。

15、根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于选择纳米线(1)用于所述多个台形半导体区域(1)。

16、根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于将所述台形半导体区域形成为常闭元件或诸如常闭型晶体管的有源元件的一部分。

17、一种用于感测物质的半导体传感器装置(10)，所述半导体传感器装置包括多个相互平行的台形半导体区域(1)，所述台形半导体区域(1)形成于半导体主体(11)的表面上并在第一端连接到第一导电连接区域(2)且在第二端连接到第二导电连接区域(3)，同时包括待感测的物质的流体能够在所述台形半导体区域(1)之间流动，且待感测的所述物质能够影响所述多个台形半导体区域(1)的电特性，其中在所述半导体主体(11)的表面形成第一连接区域(2)并形成第一端连接到所述第一连接区域(2)的多个台形半导体区域(1)，且将所述第二连接区域(3)形成为在所述多个台形半导体区域(1)的第二端连接到所述多个台形半导体区域(1)以及连接到所述多个台形半导体区域(1)的侧壁的一部分。