[发明专利]在斜面蚀刻处理期间避免低k损伤

权利要求书

1.一种蚀刻基片斜缘的方法，包括：

在蚀刻层上形成图案化光刻胶掩模；

穿过该光刻胶特征将特征蚀刻进该蚀刻层；

清洁该斜缘，包括：

提供清洁气体，其包括CO₂或CO中至少一种；

由该清洁气体形成清洁等离子，包括在紧邻该基片 顶部表面处放置气体分配板，从而使得在该斜缘蚀刻过程 中该气体分配板和该基片之间不形成该清洁等离子；以及

将该斜缘暴露于该清洁等离子，该斜缘包括该基片 边缘处的一部分顶部表面至一部分底部表面；以及 去除该光刻胶掩模。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成、清洁、蚀刻和去除发 生在单个等离子室中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成、蚀刻和去除发生在等 离子处理室中。

4.根据权利要求1所述的方法，其中该清洁进一步包括将该气 体分配板移至距该基片顶部表面的距离小于0.6mm。

5.根据权利要求1所述的方法，其中该清洁发生在斜面蚀刻室。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括将该基片传送到该斜 面蚀刻室。

7.根据权利要求6所述的方法，其中该蚀刻进一步包括将该基片 传送到等离子处理室。

8.根据权利要求1所述的方法，其中该清洁等离子包括C_xH_y。

9.根据权利要求1所述的方法，其中该清洁等离子包括H2。

10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

将该基片传送到斜面蚀刻室；和

在蚀刻该特征之前执行该清洁步骤。

11.根据权利要求1所述的方法，其中暴露该斜缘进一步包括将来 自气体分配板的清洁等离子在该基片顶部表面上方流动。

12.一种蚀刻基片斜缘的设备，包括：

等离子处理室，包括：

室壁，形成等离子处理室外壳；

基片支撑件，在该等离子处理室外壳内支撑基片，

其中该基片支撑件的直径小于该基片直径；

压力调节器，调节该等离子处理室外壳内的压力；

至少一个电极，向该等离子处理室外壳提供功率以 维持等离子；

气体入口，将气体提供进该等离子处理室外壳；和

气体出口，将气体从该等离子处理室外壳排出；

气体源，与该气体入口流体连通，包括：

清洁气体源；

清洁等离子气体源；和

蚀刻层蚀刻气体源；

控制器，以可控制的方式连接到该气体源和该至少一个 电极，包括：

至少一个处理器；和

计算机可读介质，其执行以下操作步骤：

在蚀刻层上形成图案化光刻胶掩模；

清洁该斜缘，包括：

提供清洁气体，该清洁气体包括CO₂、CO、 C_xH_y、H₂、NH₃、C_xH_yF_z或其组合的至少一个；

由该清洁气体形成清洁等离子；以及

将该斜缘暴露于该清洁等离子；

穿过该光刻胶特征将特征蚀刻进该蚀刻层；和

去除该光刻胶掩模。