[发明专利]碳结构体的制造装置及制造方法

权利要求书

1.一种碳结构体的制造装置，通过调整对基板施加的电位，在 基板上形成碳结构体，其特征在于，具备：

形成收容前述基板的第一空间的第一室；

设置在前述第一室内并保持前述基板的基板保持器；

向前述第一空间供给用于形成前述碳结构体的原料气体的原料 气体供给装置；

形成与前述第一空间不同的第二空间的第二室；

向前述第二空间供给用于生成等离子体的气体的气体供给装置；

在前述第二空间中生成等离子体的等离子体生成装置；

连接前述第一空间与前述第二空间的开口；

经由前述开口将在前述第二空间中生成的前述等离子体导入到 前述第一空间的等离子体导入装置；

基于被导入到前述第一空间的前述等离子体并利用前述原料气 体，在前述基板上形成前述碳结构体，前述基板保持器调整前述基板 与前述等离子体之间的距离，从而根据前述基板的电位来调整前述基 板保持器与前述等离子体之间的电场强度。

2.根据权利要求1所述的碳结构体的制造装置，其特征在于，

将前述第一空间的压力设定得比前述第二空间低。

3.根据权利要求1或2所述的碳结构体的制造装置，其特征在 于，

具备配置在前述开口的附近、并将前述第一空间的前述等离子体 整形为薄片状的磁场生成装置。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的碳结构体的制造装置， 其特征在于，

具备溅射装置，其具有按照配置在前述第一空间的方式保持靶材 料的保持部件，将基于导入到前述第一空间的前述等离子体中的惰性 气体而生成的离子粒子向前述靶材料照射，由前述靶材料释放出用于 在前述基板上形成导电性膜及催化剂微粒的至少一方的溅射粒子。

5.一种碳结构体的制造方法，用于在基板上形成碳结构体，其 特征在于，包括：

向收容了前述基板的第一空间供给用于形成前述碳结构体的原 料气体的动作；

在与前述第一空间不同的第二空间生成等离子体的动作；

将前述第二空间中生成的前述等离子体经由开口导入到前述第 一空间的动作；

调整对前述基板施加的电位的动作；

利用基板保持器调整前述基板与前述等离子体之间的距离，从而 根据前述基板的电位来调整前述基板保持器与前述等离子体之间的 电场强度的动作；

基于被导入到前述第一空间的前述等离子体并利用前述原料气 体，在前述基板上形成前述碳结构体的动作。

6.根据权利要求5所述的碳结构体的制造方法，其特征在于，

在前述基板上形成了前述金属膜及催化剂微粒的至少一方之后， 形成前述碳结构体。

7.根据权利要求5所述的碳结构体的制造方法，其特征在于，

在前述基板上形成了前述碳结构体之后，形成催化剂微粒。