[发明专利]振动传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种振动传感器的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

在由单晶硅构成的半导体基板的一部分表面由如下材料形成保护层，所述材料被用于蚀刻所述半导体基板的蚀刻剂各向同性地蚀刻；

在所述保护层及所述保护层周围的所述半导体基板的表面之上，由对所述蚀刻剂具有抗蚀性的材料形成第一元件薄膜保护膜；

在所述保护层的上方形成由单晶硅、多晶硅或非晶硅构成的元件薄膜；

在所述元件薄膜上由对所述蚀刻剂具有抗蚀性的材料形成第二元件薄膜保护膜；

在形成于所述半导体基板背面的背面保护膜开设背面蚀刻窗，所述背面保护膜对蚀刻所述半导体基板用的蚀刻剂具有抗蚀性；

通过利用蚀刻剂从所述背面蚀刻窗对所述半导体基板从背面侧进行晶体各向异性蚀刻，在该蚀刻到达所述半导体基板的表面后，利用所述蚀刻剂对所述保护层进行各向同性蚀刻，并且利用在所述保护层被蚀刻除去后的印记空间中扩展的所述蚀刻剂，对所述半导体基板从表面侧进行晶体各向异性蚀刻，在所述半导体基板形成贯通孔；

将所述第一元件薄膜保护膜部分地除去而使其一部分残留，利用残留的所述第一元件薄膜保护膜在所述半导体基板的上面设置用于支承所述元件薄膜的保持部。

2.一种振动传感器的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

在由单晶硅构成的半导体基板的一部分表面由如下材料形成保护层，所述材料对蚀刻所述半导体基板用的第一蚀刻剂具有抗蚀性；

在所述保护层及所述保护层周围的所述半导体基板的表面之上，由对所述第一蚀刻剂具有抗蚀性的材料形成第一元件薄膜保护膜；

在所述保护层的上方形成由单晶硅、多晶硅或非晶硅构成的元件薄膜；

在所述元件薄膜上由对所述第一蚀刻剂具有抗蚀性的材料形成第二元件薄膜保护膜；

在形成于所述半导体基板背面的背面保护膜开设背面蚀刻窗，所述背面保护膜对蚀刻所述半导体基板用的蚀刻剂具有抗蚀性；

利用第一蚀刻剂从所述背面蚀刻窗对所述半导体基板从背面侧进行晶体各向异性蚀刻；

在基于所述第一蚀刻剂进行的蚀刻到达所述半导体基板的表面之后，利用第二蚀刻剂从所述半导体基板的背面侧对所述保护层进行各向同性蚀刻；

在所述保护层被蚀刻除去之后，通过在所述保护层被蚀刻除去后的印记空间中从所述半导体基板的背面侧开始再次使用所述第一蚀刻剂，对所述半导体基板从表面侧进行晶体各向异性蚀刻，在所述半导体基板形成贯通孔；

将所述第一元件薄膜保护膜部分地除去而使其一部分残留，通过残留的所述第一元件薄膜保护膜在所述半导体基板的上面设置用于支承所述元件薄膜的保持部。

3.如权利要求1或2所述的振动传感器的制造方法，其特征在于，在所述保持部之间形成使所述元件薄膜的表面侧与背面侧连通的通气孔。

4.如权利要求1或2所述的振动传感器的制造方法，其特征在于，所述元件薄膜为矩形。

5.如权利要求4所述的振动传感器的制造方法，其特征在于，在所述元件薄膜的四角部设有所述保持部。

6.如权利要求1或2所述的振动传感器的制造方法，其特征在于，通过将所述保护层设置在所述元件薄膜的形成区域的一部分，使所述元件薄膜弯曲。

7.如权利要求1或2所述的振动传感器的制造方法，其特征在于，通过将所述保护层设置在所述元件薄膜的形成区域的一部分，在所述元件薄膜的表面形成突起。

8.如权利要求1或2所述的振动传感器的制造方法，其特征在于，所述贯通孔内部的与所述贯通孔表面的开口平行的截面的面积比所述贯通孔表面的开口面积大。

9.如权利要求1所述的振动传感器的制造方法，其特征在于，所述保护层为多晶硅或非晶硅。