[发明专利]用于掺杂太阳能电池制造中使用的化合物层的工艺

权利要求书

1.制备用于太阳能电池的掺杂的IBIIIAVIA族吸收层的方法，该 方法包括：

形成金属堆叠，形成金属堆叠的步骤包括如下步骤：

使用一种或多种IB族镀覆溶液电镀至少一层IB族材料，和

使用一种或多种IIIA族镀覆溶液电沉积至少一层IIIA族材 料，以及

使金属堆叠与至少一种VIA族材料反应，

其中一种或多种IB族镀覆溶液和一种或多种IIIA族镀覆溶液各 自含有一定浓度的碱金属，所述碱金属选自Na、K和Li。

2.根据权利要求1的方法，其中IB族材料是Cu，至少一层IIIA 族材料是包括In层和Ga层的多层。

3.根据权利要求2的方法，其中电镀和电沉积步骤形成选自如下 的金属堆叠：Cu/Ga/In、Cu/Ga/Cu/In、Ga/Cu/In、In/Cu/Ga、Cu/In/Ga、 In/Cu/Ga/Cu、In/Cu/Ga/In、In/Cu/In/Ga、In/Cu/Ga/In/Cu、In /Cu/In/Ga/Cu、Ga/Cu/In/Cu、Ga/Cu/In/Ga、Ga/Cu/Ga/In、 Ga/Cu/In/Ga/Cu、Ga/Cu/Ga/In/Cu、Ga/In/Cu、Ga/In/Cu/Ga、 Ga/In/Cu/In、Ga/In/Cu/Ga/Cu、Ga/In/Cu/In/Cu、Ga/In/Ga/Cu、 In/Ga/Cu、In/Ga/Cu/In、In/Ga/Cu/Ga/Cu和In/Ga/Cu/In/Cu。

4.根据权利要求3的方法，其中碱金属的浓度为500ppm-2M。

5.根据权利要求1的方法，还包括使用Se镀覆溶液在金属堆叠上 电沉积Se层由此形成前体层的步骤。

6.权利要求5的方法，其中Se镀覆溶液包含一定量的选自Na、K 和Li的碱金属。

7.根据权利要求6的方法，其中碱金属的量为500ppm-2M。

8.根据权利要求1的方法，其中金属堆叠含有至少10¹⁹原子/cc 的碱金属。

9.根据权利要求6的方法，其中前体层含有至少10¹⁹原子/cc的 碱金属。

10.制备用于太阳能电池的掺杂的IBIIIAVIA吸收层的方法，该方 法包含：

形成金属堆叠，形成金属堆叠的步骤包括如下步骤：

使用第一镀覆溶液电镀至少一个金属层，所述金属层包括 Cu、以及Ga与In中的至少一种，和

使用第二镀覆溶液电沉积至少一层膜，所述膜包括Ga和In 中的至少一种，以及

使金属堆叠与至少一种VIA族材料反应，

其中第一镀覆溶液和第二镀覆溶液各自含有一定浓度的碱金属， 所述碱金属选自Na、K和Li。

11.根据权利要求10的方法，其中碱金属的浓度为500ppm-2M。

12.根据权利要求10的方法，还包括使用Se镀覆溶液在金属堆叠 上电沉积Se层由此形成前体层的步骤。

13.根据权利要求12的方法，其中Se镀覆溶液包含一定量的选自 Na、K和Li的碱金属。

14.根据权利要求13的方法，其中碱金属的量为500ppm-2M。

15.根据权利要求13的方法，其中前体层含有至少10¹⁹原子/cc 的碱金属。

16.根据权利要求10的方法，其中金属堆叠含有至少10¹⁹原子/cc 的碱金属。