[发明专利]用于制造电阻转换器件的方法和由此获得的器件

权利要求书

1.一种用于制造电阻转换器件的方法，所述器件包括底部电极、顶部电极和与所述底部电极和顶部电极接触的电阻转换材料层，其中所述方法包括：

提供包括所述底部电极的衬底；

在所述衬底上提供包括一个暴露了所述底部电极的开口的介电层；和

在所述开口中形成电阻转换材料层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中提供介电层的步骤包括：

沉积所述介电层；

在所述介电层中形成一个沟槽；和

在所述沟槽中形成一个暴露所述底部电极的开口。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成电阻转换材料层的步骤包括用所述电阻转换材料层至少部分地填充所述开口，还包括：

在被至少部分地填充的开口中形成所述顶部电极。

4.根据权利要求1所述的方法，其中提供介电层和形成电阻转换材料层的步骤包括：

形成具有一个暴露了所述底部电极的开口的第一介电层；和

在所述开口中形成所述电阻层；

还包括：

形成包括一个暴露了所述电阻层的沟槽的第二介电层；和

在所述沟槽中形成所述顶部电极。

5.根据权利要求4所述的方法，其中形成电阻转换材料层的步骤包括用电阻转换材料部分地填充所述开口。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括第一金属图案，并且所述底部电极被提供在所述第一金属图案中。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括第一金属图案，并且所述底部电极被提供在一个与所述第一金属图案接触的导孔中，

所述步骤还包括：

在第二金属图案中形成所述顶部电极。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述电阻转换材料是包含电子施主和电子受主的电荷转移复合物。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述电阻转换材料是具有pi电子系统的有机化合物。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述有机化合物是由TCNQ提供的或由TCNQ的衍生物提供的。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述电子施主是由底部电极的金属提供的，所述金属是从包括Cu、Ag或K的组中选择的。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述电阻转换材料是二元金属氧化物。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述底部电极包括铜，而二元金属氧化物是亚铜金属氧化物。

14.根据权利要求1所述的方法，还包括形成所述顶部电极的步骤，其中形成所述顶部电极的步骤包括在所述衬底上形成一个金属层，并除去所述开口中的多余金属。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述电阻转换器件是非易失存储器件。

16.一种电阻转换器件，包括：

底部电极；

顶部电极；和

与所述底部电极和顶部电极接触的电阻转换材料层；

其中所述顶部电极和电阻转换材料层被包含在一个形成于介电层中的开口中。

17.根据权利要求16所述的器件，其中：

所述底部电极以第一金属图案形成；

所述顶部电极以第二金属图案形成；

所述介电层至少包括第一层和第二层，所述第一层将所述第一金属图案和第二金属图案分离开，并且所述第一层具有用于在所述第一金属图案和第二金属图案之间提供连接的开口；并且

所述电阻转换材料层被包含在第一开口中。

18.根据权利要求16所述的器件，其中所述电阻转换材料是包含电子施主和电子受主的电荷转移复合物。

19.根据权利要求18所述的器件，其中所述电阻转换材料是具有pi电子系统的有机化合物。

20.根据权利要求19所述的器件，其中所述有机化合物是由TCNQ提供的或由TCNQ的衍生物提供的。